| 1 |
1
다수의 구멍을 가진 제1 멤브레인;상기 제1 멤브레인의 하부에 위치하되 하부면의 일부분과는 비접촉되도록 중앙 영역이 일정 두께만큼 식각된 기판;상기 제1 멤브레인의 상면 중앙 영역에 형성되고 다수의 구멍을 가진 발열 저항체;상기 제1 멤브레인과 상기 발열 저항체 위에 형성되고 다수의 구멍을 가진 제2 멤브레인;상기 제2 멤브레인상의 중앙 영역에 형성되고 다수의 구멍을 가진 감지 전극;상기 감지 전극 상에 가스 감지 소재로 형성된 하나 이상의 감지 구조체; 및상기 감지 전극 상에 보상 소재로 형성된 하나 이상의 보상 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 멤브레인 하부의 기판은,상기 제2 멤브레인 및 상기 제1 멤브레인과 상기 발열 저항체에 있는 다수의 구멍을 통해 전체적으로 식각되어 상기 제1 멤브레인을 지탱하는 기둥이 없는 구조인 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 멤브레인 하부의 기판은,상기 제2 멤브레인 및 상기 제1 멤브레인과 상기 발열 저항체에 있는 다수의 구멍을 통해 부분적으로 식각되어 상기 제1 멤브레인을 지탱하는 기둥이 있는 구조인 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제2 멤브레인과 상기 제1 멤브레인은,단일 층 또는 다층의 산화 실리콘 막 또는 질화 실리콘 막이 열산화 증착법, 스퍼터링 증착법 및 화학 기상 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 증착된 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 발열 저항체는,금(Au), 텅스텐(W), 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd) 중 어느 하나의 금속막 또는 실리콘 막 또는 전도성 금속 산화물 막을 스퍼터링 증착법, 전자빔 증착법 및 기화 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 증착된 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 감지 전극은,백금(Pt), 알루미늄(Al) 및 금(Au) 중 어느 하나의 금속 막 또는 전도성 금속 산화물 막을 스퍼터링 증착법, 전자빔 증착법 및 기화 증착법 중 어느 하나의 방법에 의하여 증착된 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 가스 감지 소재는, 금속 산화물, 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube; CNT) 및 그라핀(graphene) 중 어느 하나의 물질에 귀금속인 백금이나 팔라듐 등의 귀금속을 첨가하여 이루어지고,상기 보상 소재는, 촉매 역할을 하는 귀금속을 첨가하지 않고 이용할 수 있으며, 솔-젤법, 드롭 코팅법, 스크린 프린팅법, 화학 기상 증착법 및 스퍼터링 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 증착된 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 기판은,실리콘, 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO), 석영(quartz), 갈륨-질소(GaN), 갈륨-비소(GaAs) 또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI) 중 어느 하나를 이용하여 제작된 것을 특징으로 하는 접촉연소식 가스 센서
|
