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트렌치를 갖는 클래드;상기 클래드 내에서 제 1 방향으로 연장되고, 상기 트렌치에 내에서 분리된 복수개의 광 도파로들; 및상기 트렌치 내에 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 삽입되어 상기 광 도파로들을 통해 전송되는 광 신호를 변조하는 광 변조 유닛을 포함하는 그래핀 광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광 변조 유닛은 상기 트렌치의 측벽에 인접하여 마주보는 제 1 전극 및 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 제 1 유전체를 포함하는 그래핀 광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 유전 체 층은 열 또는 전기장에 의한 굴절률이 변화되는 실리카 폴리머를 포함하는 그래핀 광 소자
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4
제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나는 그래핀을 포함하는 그래핀 광 소자
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 나머지 하나는 투명 전극을 포함하는 그래핀 광 소자
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제 5 항에 있어서,상기 투명 전극은 인듐주석산화막(ITO), 또는 인듐아연산화막(IZO)을 포함하는 그래핀 광 소자
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7
제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 상기 제 1 유전체 내에서 상기 광 도파로들에 정렬된 제 1 변조 광 도파로를 더 포함하는 그래핀 광 소자
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8
제 7 항에 있어서,상기 변조 광 도파로는 상기 제 1 유전체보다 높은 굴절률을 갖는 그래핀 광 소자
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제 7 항에 있어서,상기 변조 광 도파로는 사각형, 원형 또는 다각형의 단면을 갖는 그래핀 광 소자
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10
제 2 항에 있어서,상기 광 변조 유닛은, 상기 트렌치 측벽과 상기 제 1 전극 사이에 배치된 제 2 유전체; 및상기 제 2 전극과 상기 트렌치 측벽 사이에 배치된 제 3 유전체를 더 포함하는 그래핀 광 소자
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11
제 10 항에 있어서,상기 제 2 유전체 및 상기 제 3 유전체 내에 배치되고, 상기 광 도파로들에 정렬되는 제 2 변조 광 도파로들을 더 포함하는 그래핀 광 소자
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12
제 10 항에 있어서,상기 제 2 유전체 및 상기 제 3 유전체는 실리카 폴리머를 포함하는 그래핀 광 소자
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13
제 10 항에 있어서,상기 광 도파로들은 상기 트렌치 내의 상기 제 2 유전체와 상기 제 3 유전체를 통과하여 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 각각 연결되는 그래핀 광 소자
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제 13 항에 있어서,상기 광 도파로들은 금속선 광 도파로를 포함하는 그래핀 광 소자
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제 14 항에 있어서,상기 금속선 광 도파로는 5나노미터 내지 200나노미터의 두께와 2마이크로미터 내지 100마이크로미터의 선폭을 갖는 그래핀 광 소자
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16
제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로들은 폴리머, 산화 규소, 또는 질화 규소를 포함하는 그래핀 광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 클래드는 폴리머, 실리콘 산화막, 석영, 또는 실리콘을 포함하는 그래핀 광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 클래드 아래의 기판을 더 포함하는 그래핀 광 소자
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