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테스트를 위한 반도체 소자가 실장된 패키지가 수용되는 제 1 소켓; 및상기 제 1 소켓과 결합하는 제 2 소켓을 포함하되,상기 제 1 소켓은 상기 패키지를 수용하기 위한 홀이 형성되고, 상기 홀의 양측단에 상기 패키지의 입력 및 출력단자를 거치하기 위한 단자 패드가 형성되는 상단부; 및 상기 반도체 소자에 열을 가하기 위한 히터를 수용하는 히팅룸이 형성되고, 상기 히팅룸 내부에 상기 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 온도 감지부가 배치되는 하단부를 포함하고,상기 제 2 소켓은 외부 전원으로부터 상기 테스트 신호를 전달받기 위한 패턴이 형성되는 프로브 카드를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치
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제 1 항에 있어서,상기 단자 패드는 절연성이며 200℃ 내지 250℃의 온도에 대한 내열성 재질로 형성되는 반도체 소자 테스트 장치
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제 1 항에 있어서,상기 온도 감지부는 열전대(thermocouple)인 반도체 소자 테스트 장치
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제 1 항에 있어서,상기 프로브 카드는 상기 테스트 신호를 상기 패키지의 입력 단자에 전달하는 적어도 하나의 컨택핀을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치
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제 4 항에 있어서,상기 프로브 카드는 FR-5 또는 세라믹 기판으로 구성되는 반도체 소자 테스트 장치
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제 4 항에 있어서,상기 컨택핀은 텅스텐핀 또는 포고핀인 반도체 소자 테스트 장치
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 소자는 AlGaN 또는 GaN HEMT 소자인 반도체 소자 테스트 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 소켓은 알루미늄으로 구성되는 반도체 소자 테스트 장치
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베이스 소켓 및 커버 소켓을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치에 있어서,상기 베이스 소켓은 상부로 돌출되는 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부에는 상기 반도체 소자를 수용하기 위한 홀이 형성되고, 상기 홀 하부에는 상기 반도체 소자에 열을 가하기 위한 히팅룸이 형성되고,상기 커버 소켓은 상기 볼록부와 결합되는 오목부를 포함하고, 상기 오목부에는 상기 반도체 소자에 테스트 신호를 인가하기 위한 프로브 카드가 배치되는 반도체 소자 테스트 장치
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제 9 항에 있어서,상기 히팅룸은 상기 홀과 접촉하도록 배치되는 반도체 소자 테스트 장치
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제 9 항에 있어서,상기 히팅룸 내부에는 상기 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 열전대(thermocouple)가 상기 홀과 접촉하여 배치되는 반도체 소자 테스트 장치
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제 9 항에 있어서,상기 홀 양측단에는 상기 반도체 소자의 입출력단자가 배치되는 단자 패드가 형성되는 반도체 소자 테스트 장치
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제 12 항에 있어서,상기 프로브 카드와 연결되고, 상기 테스트 신호를 상기 반도체 소자의 입출력단자에 전달하는 적어도 하나의 컨택핀이 상기 볼록부 방향으로 배치되는 반도체 소자 테스트 장치
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제 13 항에 있어서,상기 컨택핀은 텅스텐핀 또는 포고핀인 반도체 소자 테스트 장치
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