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신호가 입력되는 제 1 입력단자, 종단저항을 통해 접지전원과 연결되는 제 1 고립단자, 제 1 결합단자 및 제 1 통과단자를 구비하는 제 1 방향성결합기;상기 입력된 신호가 감쇄된 감쇄신호를 출력되는 제 2 입력단자, 종단저항을 통해 접지전원과 연결되는 제 2 고립단자, 제 2 결합단자 및 제 2 통과단자를 구비하는 제 2 방향성결합기; 및상기 제 1 결합단자, 상기 제 1 통과단자, 상기 제 2 결합단자 및 상기 제 2 통과단자에 연결되어 상기 제 1 방향성결합기를 통해 전달된 신호를 감쇄하여 상기 제 2 방향성결합기로 전달하는 신호감쇄부를 구비하고,상기 신호감쇄부는,일단이 상기 제 1 방향성결합기와 상기 제 2 방향성결합기에 연결되고 타단이 접지전원에 연결되며, 제어신호에 응답하여 저항값이 가변하는 가변저항소자를 복수개 포함하는 가변저항부; 및상기 가변저항소자들 각각과 병렬 연결되어 상기 가변저항소자의 기생커패시턴스 성분을 제거하는 인덕터를 복수개 구비하는 인덕턴스부를 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제1항에 있어서, 상기 가변저항부는,일단이 상기 제 1 결합단자 및 상기 제 2 통과단자에 연결되고, 타단이 상기 접지전원에 연결되며, 상기 제어신호에 응답하여 저항값이 가변하는 제 1 가변저항소자; 및일단이 상기 제 1 통과단자 및 상기 제 2 결합단자에 연결되고, 타단이 상기 접지전원에 연결되며, 상기 제어신호에 응답하여 저항값이 가변하는 제 2 가변저항소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제2항에 있어서, 상기 제 1 가변저항소자는,일단이 상기 제 1 결합단자 및 상기 제 2 통과단자에 연결되고, 타단이 상기 접지전원에 연결되며, 게이트에 상기 제어신호가 인가되는 제 1 FET를 구비하고,상기 제 2 가변저항소자는,일단이 상기 제 1 통과단자 및 상기 제 2 결합단자에 연결되고, 타단이 상기 접지전원에 연결되며, 게이트에 상기 제어신호가 인가되는 제 2 FET를 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제3항에 있어서, 상기 인덕턴스부는,일단이 상기 제 1 통과단자 및 상기 제 2 결합단자에 연결되고 타단이 상기 접지전압원에 연결되어 상기 제 1 FET의 일단과 타단 사이에 발생하는 기생커패시턴스 성분을 제거하는 제 1 인덕터; 및일단이 상기 제 1 결합단자 및 상기 제 2 통과단자에 연결되고 타단이 상기 접지전압원에 연결되어 상기 제 2 FET의 일단과 타단 사이에 발생하는 기생커패시턴스 성분을 제거하는 제 2 인덕터를 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제4항에 있어서, 상기 제 1 인덕터는,상기 제 1 FET를 전압 조정하는 경우의 기생커패시턴스 값들 중 중간값의 커패시턴스 값과 사용 주파수 대역에서 병렬 공진을 일으키는 인덕턴스 값을 가지고,상기 제 2 인덕터는,상기 제 2 FET를 전압 조정하는 경우의 기생커패시턴스 값들 중 중간값의 커패시턴스 값과 사용 주파수 대역에서 병렬 공진을 일으키는 인덕턴스 값을 가지는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제3항에 있어서, 상기 가변저항부는,일단이 상기 제 1 FET의 게이트에 연결되고 타단을 통하여 상기 제어신호가 인가되는 제 1 저항; 및일단이 상기 제 2 FET의 게이트에 연결되고 타단을 통하여 상기 제어신호가 인가되는 제 2 저항을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제2항에 있어서, 상기 제 1 가변저항소자는,일단이 상기 제 1 결합단자 및 상기 제 2 통과단자에 연결되고, 타단이 상기 접지전원에 연결되며, 게이트에 상기 제어신호가 인가되는 복수의 제 1 FET들을 구비하고,상기 제 2 가변저항소자는,일단이 상기 제 1 통과단자 및 상기 제 2 결합단자에 연결되고, 타단이 상기 접지전원에 연결되며, 게이트에 상기 제어신호가 인가되는 복수의 제 2 FET들을 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제7항에 있어서, 상기 인덕턴스부는,일단이 상기 제 1 통과단자 및 상기 제 2 결합단자에 연결되고 타단이 상기 접지전압원에 연결되어 상기 제 1 FET들의 일단과 타단 사이에 발생하는 기생커패시턴스 성분을 제거하는 제 1 인덕터; 및일단이 상기 제 1 결합단자 및 상기 제 2 통과단자에 연결되고 타단이 상기 접지전압원에 연결되어 상기 제 2 FET들의 일단과 타단 사이에 발생하는 기생커패시턴스 성분을 제거하는 제 2 인덕터를 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제8항에 있어서, 상기 제 1 인덕터는,상기 제 1 FET들을 전압 조정하는 경우의 기생커패시턴스 값들 중 중간값의 커패시턴스 값과 사용 주파수 대역에서 병렬 공진을 일으키는 인덕턴스 값을 가지고,상기 제 2 인덕터는,상기 제 2 FET들을 전압 조정하는 경우의 기생커패시턴스 값들 중 중간값의 커패시턴스 값과 사용 주파수 대역에서 병렬 공진을 일으키는 인덕턴스 값을 가지는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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10
제7항에 있어서, 상기 가변저항부는,일단이 상기 제 1 FET들 중 대응하는 제 1 FET의 게이트에 연결되고 타단을 통하여 상기 제어신호가 인가되는 제 1 저항; 및일단이 상기 제 2 FET들 중 대응하는 제 2 FET의 게이트에 연결되고 타단을 통하여 상기 제어신호가 인가되는 제 2 저항을 복수개 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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제1항에 있어서, 상기 제 1 방향성결합기 및 상기 제 2 방향성결합기는,90도 하이브리드인 것을 특징으로 하는 저위상 변동 전압 가변 감쇠기
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