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엑스선 튜브

  • 기술번호 : KST2015091185
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 에미터에서 방출된 전자빔을 더욱 집속시킴으로써 보다 선명한 엑스선 이미지를 얻을 수 있는 엑스선 튜브를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 튜브는, 캐소드 전극에 형성되어 전자빔을 방출하는 에미터, 상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 상기 전자빔을 통과시키기 위한 다수의 게이트홀을 포함하는 게이트 메쉬, 상기 게이트 메쉬 상에 형성되며, 상기 다수의 게이트홀과 같은 동심원을 가지는 다수의 집속 게이트홀을 포함하는 집속 게이트 메쉬, 상기 집속 게이트 메쉬 상에 형성되며, 상기 게이트 메쉬 및 집속 게이트 메쉬를 통과한 전자빔을 집속시키는 집속 전극 및 상기 집속된 전자빔의 충돌에 의해 엑스선을 발생시키는 아노드 전극을 포함한다.
Int. CL H01J 35/04 (2006.01) H01J 35/02 (2006.01) H01J 35/14 (2006.01)
CPC H01J 35/14(2013.01) H01J 35/14(2013.01) H01J 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130004307 (2013.01.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0084257 (2013.07.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120004817   |   2012.01.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진우 대한민국 대전 유성구
2 송윤호 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0039210-25
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0783024-35
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1111041-42
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0998376-81
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1261693-98
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1261713-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0150298-88
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0434314-68
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0434313-12
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0550308-28
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0903616-19
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.09.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0903617-65
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0646832-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캐소드 전극에 배치되어 전자빔을 방출하는 에미터;상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 상기 전자빔을 통과시키기 위한 게이트홀을 포함하는 게이트 메쉬;상기 게이트 메쉬 상에 형성되며, 상기 게이트홀과 같은 동심원을 가지는 집속 게이트홀을 포함하는 집속 게이트 메쉬;상기 집속 게이트 메쉬 상에 배치되며, 상기 게이트 메쉬 및 상기 집속 게이트 메쉬를 통과한 전자빔을 집속시키는 집속 전극; 및상기 집속된 전자빔의 충돌에 의해 엑스선을 발생시키는 아노드 전극;을 포함하고, 상기 집속 게이트홀은 복수로 제공되며, 상기 게이트홀은 복수로 제공되며, 상기 복수의 집속 게이트홀들은 상기 복수의 게이트홀들과 각각 동심원 위치에 형성되고, 상기 집속 전극에 인가되는 전압은 상기 아노드 전극에 인가되는 전압과 비례하는 엑스선 튜브
2 2
제 1항에 있어서, 상기 집속 게이트홀들의 직경들은 상기 게이트 홀들의 직경들과 같거나 더 큰 엑스선 튜브
3 3
제 2항에 있어서, 상기 집속 게이트홀들 사이의 최소 거리는 상기 집속 게이트홀들의 직경들보다 더 큰 엑스선 튜브
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 집속 게이트 메쉬는 상기 집속 전극 및 상기 게이트 메쉬 사이에 제공되는 엑스선 튜브
6 6
캐소드 전극에 배치되어 전자빔을 방출하는 에미터;상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 상기 전자빔을 통과시키기 위한 게이트홀을 포함하는 게이트 메쉬;상기 게이트 메쉬 상에 형성되며, 상기 게이트홀과 같은 동심원을 가지는 집속 게이트홀을 포함하는 집속 게이트 메쉬;상기 집속 게이트 메쉬 상에 배치되며, 상기 게이트 메쉬 및 상기 집속 게이트 메쉬를 통과한 전자빔을 집속시키는 집속 전극; 및상기 집속된 전자빔의 충돌에 의해 엑스선을 발생시키는 아노드 전극;을 포함하고, 상기 집속 게이트홀은 복수로 제공되며, 상기 게이트홀은 복수로 제공되며, 상기 복수의 집속 게이트홀들은 상기 복수의 게이트홀들과 각각 동심원 위치에 형성되고, 상기 집속 게이트 메쉬에 인가되는 전압은 상기 게이트 메쉬에 인가되는 전압과 비례하는 엑스선 튜브
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 게이트 메쉬에 게이트 전압이 인가되고, 상기 게이트 전압은 시간에 따라 일정한 DC전압이고, 상기 집속 게이트 메쉬에 집속메쉬 전압이 인가되고, 상기 집속메쉬 전압은 시간에 따라 일정한 DC전압이고, 상기 집속 전극에 집속 전압이 인가되고, 상기 집속 전압은 시간에 따라 일정한 DC전압이고, 상기 아노드 전극에 아노드 전압이 인가되고, 상기 아노드 전압은 시간에 따라 일정한 DC전압인 엑스선 튜브
9 9
제 8항에 있어서, 상기 캐소드 전극에 흐르는 전류를 제어하는 전자 스위치를 더 포함하는 엑스선 튜브
10 10
제 1항에 있어서, 상기 집속 전극은 상기 집속 게이트 메쉬와 이격되는 엑스선 튜브
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업 세기 조절 마이크로 포커스 멀티엑스선원 기술 개발