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1
기판 상에 형성된 후면전극;상기 후면전극 상에 형성된 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 전면 투명전극;상기 전면 투명전극의 가장자리 상에 형성되어 상기 전면 투명전극의 일부 상면을 노출시키는 그리드 전극; 및상기 일부 상면이 노출된 상기 전면 투명전극의 상면을 덮는 반사 방지막을 포함하되,상기 버퍼층은 티타늄 산화물(TiOx)로 이루어지고,상기 버퍼층은 도펀트를 포함하고,상기 도펀트의 도핑 농도는 상기 광 흡수층과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면에서 상기 전면 투명전극과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면으로 가까워질수록 점진적으로 커지거나 작아지는 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화물의 x값은 0
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 1
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제 3 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 광 흡수층과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면에서 상기 전면 투명전극과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면으로 가까워질수록 점진적으로 커지는 에너지 밴드갭을 갖는 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수층은 CIGS계 광 흡수층 또는 CZTS계 광 흡수층인 박막 태양전지
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9
기판 상에 후면전극을 형성하는 것;상기 후면전극 상에 광 흡수층을 형성하는 것;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 것;상기 버퍼층 상에 전면 투명전극을 형성하는 것;상기 전면 투명전극의 가장자리 상면이 노출되도록 상기 전면 투명전극 상에 반사 방지막을 형성하는 것; 및노출된 상기 전면 투명전극의 가장자리 상에 그리드 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 버퍼층은 티타늄 산화물(TiOx)로 이루어지고,상기 버퍼층은 원자 층 증착법을 사용하여 형성되고,상기 원자 층 증착법은,티타늄(Ti) 전구체를 공급하여 상기 광 흡수층 상에 상기 티타늄 전구체를 흡착시키는 것; 아르곤(Ar) 가스를 제 1 퍼지하여 상기 광 흡수층 상에 비 흡착된 상기 티타늄 전구체를 제거하는 것; 산소 전구체를 공급하여 상기 광 흡수층의 표면에 흡착된 상기 티타늄 전구체와 반응시켜 이산화 티타늄(TiO2)을 형성하는 것;아르곤 가스를 제 2 퍼지하여 상기 반응하여 발생된 불순물과 미반응된 상기 산소 전구체를 제거하는 것; 및 상기 이산화 티타늄(TiO2)을 환원시키는 것을 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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기판 상에 후면전극을 형성하는 것;상기 후면전극 상에 광 흡수층을 형성하는 것;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 것;상기 버퍼층 상에 전면 투명전극을 형성하는 것;상기 전면 투명전극의 가장자리 상면이 노출되도록 상기 전면 투명전극 상에 반사 방지막을 형성하는 것; 및노출된 상기 전면 투명전극의 가장자리 상에 그리드 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 버퍼층은 티타늄 산화물(TiOx)로 이루어지고,상기 버퍼층은 반응성 스퍼터링 증착법을 사용하여 형성되고,상기 반응성 스퍼터링 증착법은 티타늄 금속을 스퍼터링 타겟으로 사용하고, 스터퍼링 공정 동안 공급되는 산소 가스(O2)의 양을 점차적으로 증가시키는 것을 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 광 흡수층보다 크고 상기 전면 투명전극보다 작은 에너지 밴드갭을 가지고, 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭이 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭에서 상기 전면 투명전극의 에너지 밴드갭으로 점차적으로 증가하도록 형성하는 것을 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 버퍼층에 n형 도펀트의 도핑 농도를 연속적으로 다르게 도핑하는 것을 더 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 광 흡수층은 CIGS계 광 흡수층 또는 CZTS계 광 흡수층인 박막 태양전지의 제조 방법
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