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제 1 기판 및 상기 제 1 기판 상의 전극부들을 포함하는 서브 마운트 구조; 및제 1 반도체층, 제 2 반도체층, 및 상기 제 1 반도체층과 상기 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하고, 상기 서브 마운트 구조 상에 실장된 발광 구조체를 포함하고,상기 전극부들은 상기 제 1 반도체층과 연결되는 제 1 전극부 및 상기 제 2 반도체층과 연결되는 제 2 전극부를 포함하고,상기 제 1 및 제 2 전극부들 각각은 상기 제 1 기판 상에 차례로 제공되는 제 1 금속층, 그래핀층, 및 제 2 금속층을 포함하는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 발광 구조체는 상기 제 1 반도체층 상의 제 2 기판을 더 포함하고,상기 제 2 기판의 상부는 요철을 포함하는 발광 다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 발광 구조체는 상기 제 1 반도체층의 하면과 상기 제 1 전극부를 연결하는 전극 연결부를 더 포함하는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 메시(mesh) 형태의 투명 전극인 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 상기 제 1 금속층보다 얇은 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 발광 구조체는 복수 개가 제공되고, 상기 복수 개의 발광 구조체들의 제 1 반도체층들은 상기 제 1 전극부에 공통적으로 연결되고,상기 복수 개의 발광 구조체들의 제 2 반도체층들은 상기 제 2 전극부에 공통적으로 연결되는 발광 다이오드
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제 6 항에 있어서,상기 서브 마운트 구조는 상기 제 1 및 제 2 전극부들로부터 각각 연장되는 접속 패드들을 더 포함하는 발광 다이오드
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제 1 기판 상에 제 1 금속층, 그래핀층, 및 제 2 금속층을 차례로 형성하여 제 1 전극부 및 상기 제 1 전극부와 이격된 제 2 전극부를 포함하는 서브 마운트를 형성하는 것; 및상기 서브 마운트 상에 활성층을 포함하는 발광 구조체를 플립칩 형태로 실장하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 그래핀층을 형성하는 것은 상기 제 1 금속층을 촉매로 화학 기상 증착 공정을 수행하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 그래핀층을 형성하는 것은 상기 화학 기상 증착 공정 이후 냉각 공정을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 금속층을 형성하는 것은:상기 제 1 기판 상에 쉐도우 마스크를 제공하는 것; 및상기 쉐도우 마스크에 의하여 노출된 상기 제 1 기판 상에 전기 방사 방법으로 용액을 제공하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 용액은 금속 입자들 및 용제를 포함하고,상기 용액의 점도는 10 cPs 내지 50 cPs인 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 발광 구조체를 형성하는 것을 더 포함하고,상기 발광 구조체를 형성하는 것은:제 2 기판 상에 제 1 반도체층, 상기 활성층, 및 제 2 반도체층을 차례로 형성하는 것;상기 제 2 반도체층 및 상기 활성층을 패터닝하여 상기 제 1 반도체층의 일부를 노출하는 것; 및노출된 상기 제 1 반도체층 상에 전극 연결부를 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 서브 마운트 상에 상기 발광 구조체를 실장하는 것은 상기 전극 연결부를 상기 제 1 전극부 상에 배치하고, 상기 제 2 반도체층의 적어도 일부를 상기 제 2 전극부 상에 배치하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 서브 마운트 상에 상기 발광 구조체를 실장하는 것은 상기 발광 구조체를 상기 서브 마운트 상에 배치한 후 열처리 공정을 수행하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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