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도파로 구조체 및 이를 구비하는 배열-도파로 격자

  • 기술번호 : KST2015091261
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 도파로 구조체 및 이를 구비하는 배열-도파로 격자가 제공된다. 도파로 구조체는 하부 클래드, 식각된 측벽을 가지면서 하부 클래드 상에 제공된 코어 패턴, 코어 패턴의 상부면을 덮는 빔 한정 패턴, 및 빔 한정 패턴이 제공된 코어 패턴을 덮는 상부 클래드를 포함할 수 있다. 빔 한정 패턴은 상부 클래드보다 크고 코어 패턴보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고, 코어 패턴보다 작은 선폭을 갖도록 형성될 수 있다.
Int. CL G02B 6/02 (2006.01) G02B 6/036 (2006.01)
CPC G02B 6/12011(2013.01) G02B 6/12011(2013.01) G02B 6/12011(2013.01) G02B 6/12011(2013.01) G02B 6/12011(2013.01)
출원번호/일자 1020120147249 (2012.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0078184 (2014.06.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재규 대한민국 대전 유성구
2 박상기 대한민국 대전 서구
3 김경옥 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1046738-73
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045356-47
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 클래드;식각된 측벽을 가지면서 상기 하부 클래드 상에 제공된 코어 패턴;상기 코어 패턴의 상부면을 덮는 빔 한정 패턴; 및상기 빔 한정 패턴이 제공된 상기 코어 패턴을 덮는 상부 클래드를 포함하되, 상기 빔 한정 패턴은 상기 상부 클래드보다 크고 상기 코어 패턴보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고, 상기 코어 패턴보다 작은 선폭을 갖도록 형성되는 도파로 구조체
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 코어 패턴은 실리콘으로 형성되고, 상기 상부 클래드는 실리콘 산화물으로 형성되고, 상기 빔 한정 패턴은 실리콘 질화물로 형성되는 도파로 구조체
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 빔 한정 패턴은 그것의 높이에 따른 두께의 변화율이 실질적으로 0인 구조를 갖도록 형성되는 도파로 구조체
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 코어 패턴은 적어도 하나의 곡선 구간을 갖되, 상기 코어 패턴의 상기 곡선 구간 상에서, 상기 빔 한정 패턴과 상기 코어 패턴의 양쪽 측벽들 사이의 거리들은 서로 다른 도파로 구조체
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 코어 패턴은 제 1 곡률 반경을 갖는 제 1 곡선 구간; 및 상기 제 1 곡률 반경보다 작은 제 2 곡률 반경을 갖는 제 2 곡선 구간을 갖되, 상기 제 1 곡선 구간 상에서, 상기 빔 한정 패턴과 상기 코어 패턴의 안쪽 측벽 사이의 거리는 상기 빔 한정 패턴과 상기 코어 패턴의 바깥쪽 측벽 사이의 거리보다 작은 도파로 구조체
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 제 2 곡선 구간 상에서, 상기 빔 한정 패턴은 그것의 진행 방향을 따라 변화하는 폭을 갖도록 형성되는 도파로 구조체
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 제 2 곡선 구간 상에서, 상기 빔 한정 패턴은 상기 코어 패턴을 따라 배열되는 복수의 삼각형 조각들을 포함하는 도파로 구조체
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 삼각형 조각들 각각은 그것의 꼭지점들 중의 하나는 상기 코어 패턴의 바깥쪽 측벽에 인접하고, 나머지 꼭지점들은 상기 코어 패턴의 안쪽 측벽에 인접하도록 배치되는 도파로 구조체
9 9
입력 스타 커플러, 출력 스타 커플러, 상기 입력 및 출력 스타 커플러들을 광학적으로 연결하는 배열 도파로들, 및 상기 배열 도파로들 상에 제공되는 빔 한정 패턴들을 포함하되, 상기 배열 도파로들 중의 적어도 하나는 직선 구간 및 적어도 하나의 굴곡 구간을 갖고, 상기 빔 한정 패턴들 중의 적어도 하나는 상기 직선 구간 상에 위치하는 제 1 부분 및 상기 굴곡 구간 상에 위치하는 제 2 부분을 갖고, 상기 제 1 부분은 상기 배열 도파로보다 작은 선폭을 갖는 라인 형태이고, 상기 제 2 부분은 상기 코어 패턴의 진행 방향을 따라 변화하는 폭을 삼각형 모양인 배열-도파로 격자
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 입력 및 출력 스타 커플러들, 상기 배열 도파로들, 및 상기 빔 한정 패턴들 상에 제공되는 상부 클래드를 더 포함하되, 상기 빔 한정 패턴들은 상기 상부 클래드보다 크고 상기 배열 도파로들보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 배열-도파로 격자
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 배열 도파로들은 실리콘으로 형성되고, 상기 상부 클래드는 실리콘 산화물으로 형성되고, 상기 빔 한정 패턴은 실리콘 질화물로 형성되는 배열-도파로 격자
12 12
청구항 9에 있어서, 상기 빔 한정 패턴은 그것의 아래에 위치하는 상기 배열 도파로들 중의 상응하는 하나의 상부면을 노출시키는 배열-도파로 격자
13 13
청구항 9에 있어서, 상기 배열 도파로들 중의 적어도 하나는, 상기 굴곡 구간과 상기 직선 구간 사이의 곡률을 갖는 완만한 굴곡 구간을 더 포함하는 배열-도파로 격자
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 완만한 굴곡 구간 상에서, 상기 빔 한정 패턴은 상기 배열 도파로의 진행 방향을 따라 실질적으로 균일한 두께를 갖도록 형성되되, 상기 빔 한정 패턴과 그것의 아래에 위치하는 상기 배열 도파로의 양쪽 측벽들 사이의 거리들은 서로 다른 배열-도파로 격자
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 완만한 굴곡 구간 상에서, 상기 빔 한정 패턴과 그것의 아래에 위치하는 상기 배열 도파로의 안쪽 측벽 사이의 거리는 상기 빔 한정 패턴과 그것의 아래에 위치하는 상기 배열 도파로의 바깥쪽 측벽 사이의 거리보다 작은 배열-도파로 격자
16 16
청구항 9에 있어서, 상기 제 2 부분은 그것의 꼭지점들 중의 하나는 그것의 아래에 위치하는 상기 배열 도파로의 바깥쪽 측벽에 인접하고, 나머지 꼭지점들은 그것의 아래에 위치하는 상기 배열 도파로의 안쪽 측벽에 인접하도록 배치되는 배열-도파로 격자
17 17
청구항 9에 있어서, 상기 빔 한정 패턴은, 상기 입력 및 출력 스타 커플러들의 상부에서, 상기 배열 도파로로부터 멀어질수록 감소하는 폭을 갖는 배열-도파로 격자
18 18
청구항 9에 있어서, 상기 배열 도파로는 상기 직선 구간 및 상기 굴곡 구간 사이에 전이 구간을 더 포함하되, 상기 직선 구간의 폭은 상기 굴곡 구간의 폭보다 크고, 상기 전이 구간의 폭은 상기 직선 구간으로부터 멀어질수록 상기 직선 구간의 폭으로부터 상기 굴곡 구간의 폭까지 감소하는 배열-도파로 격자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술