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기판 상의 거대자기저항 센서부;상기 거대자기저항 센서부 상의 수용체;상기 수용체에 포획되며 자성 나노 입자를 포함하는 목표 입자; 및상기 거대자기저항 센서부의 양 단부와 접하는 전극을 포함하되,상기 거대자기저항 센서부의 폭은 상기 목표 입자의 폭과 같거나 보다 작되,상기 목표 입자는 단일 입자이고,상기 목표 입자는 혈중 암세포인 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 거대자기저항 센서부를 덮으며 상기 수용체를 고정시키는 수용체 고정층을 더 포함하는 분석 장치
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제 2 항에 있어서,상기 수용체 고정층은 고분자물질로 이루어지는 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 수용체에 포획되는 목표입자에 결합된 자성 나노 입자의 수에 따라 상기 거대자기저항 센서부의 저항이나 신호 전압이 변하는 분석 장치
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제 4 항에 있어서,상기 목표 입자는 암세포이며,상기 자성 나노 입자는 상기 암세포의 세포막에 발현된 상피세포유래생체분자(Epithelial cellular adhesion molecule, EpCAM)에 부착되는 분석 장치
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제 5 항에 있어서,상기 암세포는 종류에 따라 서로 다른 수의 EpCAM을 포함하며, EpCAM 수에 대응하는 수의 자성 나노 입자들이 상기 암세포에 결합되는 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 거대자기저항 센서부의 감도 S와 상기 거대자기저항 센서부의 표면으로부터 소정 지점까지의 거리 R은 하기 수학식 1을 만족하는 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 거대자기저항 센서부의 일 단부에 연결되는 하나의 선택 소자를 더 포함하되, 하나의 상기 거대자기저항 센서부와 상기 하나의 선택 소자는 하나의 단위 분석 셀을 구성하고,상기 분석 장치는 복수개의 단위 분석 셀들을 포함하는 분석장치
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제 8 항에 있어서,상기 단위 분석 셀들은 어레이 형태로 배치되는 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 목표 입자를 포함하는 혼합 용액이 흐르며 상기 거대자기저항 센서부와 상기 전극들이 배치되는 채널을 더 포함하는 분석 장치
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제 10 항에 있어서,상기 혼합 용액은 혈액이며, 상기 목표 입자는 혈중 암세포인 분석 장치
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제 8 항에 있어서,상기 선택 소자는 트랜지스터 또는 다이오드인 분석 장치
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기판 상의 거대자기저항 센서부, 상기 거대자기저항 센서부 상의 수용체, 및 상기 거대자기저항 센서부의 양 단부와 접하는 전극을 포함하는 분석 장치를 제조하는 단계;상기 수용체로 포획하고자 하는 목표입자에 자성 나노 입자를 결합시키는 단계;상기 수용체로 하나의 목표 입자를 상기 거대자기저항 센서부 상에 포획시키는 단계; 및상기 거대자기저항 센서부의 저항이나 신호 전압을 측정하는 단계를 포함하되,상기 거대자기저항 센서부 상에 포획되는 상기 목표 입자는 하나이고,상기 목표 입자는 혈중 암세포인 분석 방법
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제 13 항에 있어서,상기 목표입자에 결합된 자성 나노 입자들의 수에 따른 상기 거대자기저항 센서부의 저항이나 신호 전압의 변화를 조사하여 데이터베이스를 만드는 단계를 더 포함하는 분석 방법
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제 13 항에 있어서,상기 거대자기저항 센서부의 폭은 상기 목표 입자의 폭과 같거나 보다 작은 분석 방법
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제 13 항에 있어서,상기 목표 입자는 암세포이며,상기 자성 나노 입자는 상기 암세포의 세포막에 발현된 상피세포유래생체분자(Epithelial cellular adhesion molecule, EpCAM)에 부착되며,상기 목표 입자를 상기 수용체에 포획시키는 단계는, 항원-항체의 샌드위치 결합 방법을 이용하는 분석 방법
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제 16 항에 있어서,상기 목표 입자를 상기 수용체로 포획시키는 단계 전에, 암세포의 종류에 따른 상기 거대 자기저항 센서부의 저항이나 신호 전압의 변화를 조사하여 데이터베이스를 만드는 단계를 더 포함하는 분석 방법
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제 13 항에 있어서,상기 분석 장치를 제조하는 단계는,상기 기판 상에 거대자기저항 센서부를 형성하는 단계;상기 거대자기저항 센서부의 양 단부와 접하는 전극들을 형성하는 단계; 및상기 거대자기저항 센서부 상에 상기 수용체를 고정시키는 수용체 고정층을 형성하는 단계를 포함하는 분석 방법
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제 18 항에 있어서,상기 거대자기저항 센서부를 형성하는 단계는,상기 기판 상에 강자성막을 형성하는 단계;상기 강자성막 상에 반강자성막을 형성하는 단계; 및상기 반강자성막과 상기 강자성막을 식각하는 단계를 포함하는 분석 방법
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제 18 항에 있어서,상기 수용체 고정층은 고분자 물질으로 형성되는 분석 방법
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