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이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015091278
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 박막과 금속 나노 입자층이 일정한 간극을 두고 교대로 적층된 타겟으로, multi-cascade 이온 가속을 위한 적절한 다층막을 제공하며, 다층막을 통과하며 발생되는 이온 또는 양성자의 양을 추가시키고 단계적으로 가속 에너지를 증가시키는 등의 효과를 갖는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재 및 그 제조 방법은 이온 또는 양성자가 발생되는 타겟에 있어서 두께가 수 nm ~ 수십 nm로 이루어진 고분자 박막 및 직경이 수 nm ~ 수십 nm로 이루어진 금속 나노 입자층으로 구성되고, 고분자 박막과 금속 나노 입자층이 교대로 적층된 다층막인 것을 특징으로 한다.
Int. CL A61N 5/10 (2006.01) G21G 4/08 (2006.01)
CPC G21G 4/08(2013.01) G21G 4/08(2013.01) G21G 4/08(2013.01)
출원번호/일자 1020120141372 (2012.12.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0073293 (2014.06.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신동호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-1015170-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0998006-14
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-1206338-16
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0039981-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0740926-81
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1316671-31
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1316672-87
10 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0151808-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
레이저가 조사되면 이온 또는 양성자가 발생되는 고분자 박막; 및상기 고분자 박막 위에 적층되는 금속 나노 입자층을 포함하되,상기 고분자 박막과 상기 금속 나노 입자층이 교대로 적층된 다층막을 포함하고,상기 다층막은 하나의 고분자 박막과 하나의 금속 나노 입자층을 하나의 층으로 하여, 상기 다층막의 적층 구조가 2 이상 50 이하의 층으로 이루어져 있고,상기 금속 나노 입자층은 상기 고분자 박막들 사이에 위치하는 복수개의 금속 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 고분자 박막은 탄소와 수소 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
4 4
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자층은 상기 고분자 박막들 사이에 위치하여 이 둘 사이의 간격을 형성하는 스페이서 역할을 하는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자층은 표면 플라즈몬 폴라리톤 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
6 6
제 5항에 있어서,상기 금속 나노 입자층은 상기 고분자 박막에 조사되는 레이저 펄스의 세기가 1014~1019W/cm2 이면, 순차적으로 이온 또는 양성자를 가속시키는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
7 7
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자층은 자성을 띠는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
8 8
제 1항에 있어서,상기 다층막은 고형 지지체 위에 형성되며, 상기 고형 지지체는 소정 크기의 구멍이 소정의 간격으로 형성된 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
9 9
제 8항에 있어서,상기 구멍은 상기 고형 지지체의 이동에 의해 연속적으로 상기 이온 또는 양성자 가속을 구현하는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
10 10
제 8항에 있어서,상기 고형 지지체는 플라스틱 또는 실리콘 웨이퍼 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
11 11
제 1항에 있어서,상기 다층막은 각층에 통과된 상기 이온 또는 양성자의 발생 양을 증가시키고, 단계적으로 가속 에너지를 증가시키는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
12 12
제 1항에 있어서,상기 다층막은 수직으로 조사된 레이저 펄스를 입력받는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재
13 13
고형 지지체 위에 제 1 고분자 박막이 적층되는 단계;상기 제 1 고분자 박막 위에 제 1 금속 나노 입자층이 적층되는 단계;상기 제 1 금속 나노 입자층 위에 제 2 고분자 박막이 적층되고 그 위에 제 2 금속 나노 입자층이 적층되되, 제 2, 제 3 및 제 n의 고분자 박막과 금속 나노 입자층이 순차적으로 제 n번째까지 반복되는 단계; 및상기 고형 지지체를 식각하는 단계를 포함하고,상기 n은 2 이상 50 이하이고,상기 금속 나노 입자층들은 상기 고분자 박막들 사이에 위치하는 복수개의 금속 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재의 제조 방법
14 14
삭제
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 종양치료용 레이저 이온 가속 시스템 원천 기술 개발