| 1 |
1
기판;상기 기판 상의 광 흡수 층들;상기 광 흡수 층 상의 클래드 층들; 및 상기 클래드 층 내의 활성 영역들을 포함하되,상기 광 흡수 층들, 상기 클래드 층들, 및 상기 활성 영역들은 단위 셀들로 구성되고, 상기 단위 셀들 각각은 부채꼴 모양을 갖는 아발란치 포토다이오드
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 단위 셀들을 분리하는 아이솔레이션 절연 층을 더 포함하는 아발란치 포토다이오드
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 단위 셀들은 원형으로 군집되는 아발란치 포토다이오드
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 단위 셀들은 상기 활성 영역에 이격되어 상기 클래드 층 내에 배치된 가드링 영역들을 더 포함하는 아발란치 포토다이오드
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서, 상기 가드링 영역들은 상기 단위 셀들의 상기 부채꼴 각각의 호에 배치된 아발란치 포토다이오드
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 가드링 영역들과 상기 아이솔레이션 절연 층은 상기 활성 영역들을 둘러싸는 아발란치 포토다이오드
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서, 상기 가드링 영역들은 상기 부채꼴 모양의 상기 활성 영역들을 각각 둘러싸는 아발란치 포토다이오드
|
| 8 |
8
제 2 항에 있어서, 상기 아이솔레이션 절연막은 실리콘 질화막을 포함하는 아발란치 포토다이오드
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 단위 셀들은 상기 광 흡수 층과 상기 클래드 층 사이의 버퍼 층; 및상기 버퍼 층과 상기 광 흡수 층사이의 그래이팅 층을 더 포함하는 아발란치 포토다이오드
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서, 상기 활성 영역 상의 상부 전극; 및상기 상부 전극에 대향되는 상기 기판 아래의 하부 전극을 더 포함하는 아발란치 포토다이오드
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 기판, 상기 버퍼 층, 및 상기 클래드 층은 인듐인으로 이루어지고, 상기 그레이딩 층 및 상기 광 흡수 층은 인듐갈륨아세닉인으로 이루어진 아발란치 포토다이오드
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판, 상기 광 흡수층 및 상기 클래드 층은 제 1 도전형으로 도핑되고, 상기 활성 영역과 상기 가드링 영역은 제 2 도전형으로 도핑된 아발란치 포토다이오드
|
