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기판;상기 기판 상에 배치되고, 실리콘 옥사이드를 포함하는 층간 절연 층;상기 층간 절연 층 상에 배치되고, 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥시 나이트라이드를 포함하는 광 도파로;상기 광 도파로 상에 배치되고, 수직 표면 방출 레이저 또는 포토다이오드를 포함하는 광 소자;상기 광 소자와 상기 광 도파로 사이에 배치되는 프리즘; 및상기 프리즘과 상기 광 도파로 사이에 배치되는 버퍼 층을 포함하되,상기 버퍼 층의 굴절률은 상기 광 도파로의 굴절률보다 높고,상기 프리즘의 굴절률은 상기 버퍼 층의 굴절률보다 1
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제 1 항에 있어서,상기 프리즘은 상기 광 도파로의 연장 방향에 대해 기울어진 경사면을 구비한 쐐기 모양을 갖는 포함하는 광학 모듈
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제 3 항에 있어서,상기 쐐기 모양의 프리즘은 갈륨 포스파이드 또는 실리콘을 포함하는 광학 모듈
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제 4 항에 있어서,상기 갈륨 포스파이드의 상기 쐐기 모양의 상기 프리즘은 34
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제 5 항에 있어서, 상기 실리콘의 상기 쐐기 모양의 상기 프리즘은 29
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 버퍼 층은 인덱스 매칭 오일 또는 접착제를 포함하는 광학 모듈
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제 9 항에 있어서,상기 프리즘은 상기 광 도파로와 평행한 평탄면들을 구비한 육면체 모양을 갖는 광학 모듈
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제 10 항에 있어서,상기 광 소자는 상부 버퍼 층 및 상부 광 도파로를 포함하는 광학 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 프리즘에 인접하여 상기 광 도파로를 덮는 상부 절연 층을 더 포함하는 광학 모듈
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13
제 12 항에 있어서,상기 층간 절연 층 및 상기 상부 절연 층은 실리콘 옥사이드를 포함하는 광학 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 층간 절연 층 내에 배치된 반도체 소자를 더 포함하는 광학 모듈
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서브 제어 영역, 연결 영역, 및 서브 단위 셀 영역을 갖는 기판;상기 기판 상의 층간 절연 층;상기 서브 제어 영역 상에 배치되는 제 1 광원과 제 1 검출기를 구비한 서브 제어 부분들;상기 제어 부분들의 제 1 광원 및 상기 제 1 검출기와 통신되고, 상기 서브 단위 셀 영역 상에 배치된 제 2 검출기와 제 2 광원을 포함하는 서브 단위 셀 부분들;상기 서브 제어 영역, 상기 연결 영역, 및 상기 서브 단위 셀 영역 상에 배치되고, 상기 제 1 광원과 상기 제 2 검출기를 연결하고, 상기 제 1 검출기와 상기 제 2 광원을 연결하는 광 도파로들; 및상기 제 1 광원, 상기 제 1 검출기, 상기 제 2 광원, 및 상기 제 2 검출기 중 적어도 어느 하나와 광 도파로들 사이에 배치되고, 상기 광 도파로들의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 프리즘을 포함하는 광통신 네트워크 시스템
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제 15 항에 있어서,상기 광 도파로들은:상기 제 1 광원과 상기 제 2 검출기 사이에 연장되는 제 1 광 도파로; 및상기 제 1 검출기 및 상기 제 2 광원 사이에 연결되는 제 2 광 도파로를 포함하되,상기 제 1 광 도파로 및 상기 제 2 광 도파로는 서로 교차되지 않는 광통신 네트워크 시스템
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17
제 15 항에 있어서,상기 서브 제어 부분이 상기 광 도파로들에 의해 N개의 서브 단위 셀 부분들에 연결되어 N 개의 단위 셀 부분들로 구성될 때, 상기 단위 셀 부분들은 N2 개의 상기 서브 단위 셀 부분들을 포함하는 광통신 네트워크 시스템
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제 17 항에 있어서,상기 광 도파로에 의해 상기 N2 개의 상기 단위 셀 부분들과 연결되는 메인 제어 부분들을 더 포함하고, 상기 메인 제어 부분들과 상기 단위 셀 부분들은 N개의 상위 단위 셀 부분들로 구성될 때, 상기 상위 단위 셀 부분들은 N3개의 상기 서브 단위 셀 부분들을 포함하는 광통신 네트워크 시스템
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제 16 항에 있어서,상기 광 도파로들은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥시 나이트라이드를 포함하는 광통신 네트워크 시스템
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제 16 항에 있어서,상기 프리즘은 굴절률이 상기 광 도파로의 굴절률보다 큰 결정구조 물질 (예: 갈륨 포스파이드 또는 실리콘)을 포함하는 광통신 네트워크 시스템
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