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기판의 상면에 형성되되 광이 입사되는 영역에 형성된 활성층; 및상기 기판의 상면에 형성되고 상기 광이 입사되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된 열전도층을 포함하고,상기 열전도층은MOCVD법으로 재성장되어 평탄화된 표면을 갖고,상기 활성층은MBE 장비에 의한 저온성장법으로 수직 및 수평하게 성장시키는 방법 및 MOCVD법을 이용하여 수직 및 수평하게 성장시킨 뒤 그 위에 이온 임플란테이션을 실시하는 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토믹서
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청구항 1에 있어서,상기 활성층은 메사형 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 포토믹서
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청구항 1에 있어서,상기 활성층은 GaAs, InGaAs, InGaAsP, InGaAs/InAlAs 다층박막 구조 중에서 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토믹서
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청구항 1에 있어서,상기 열전도층은 InP, GaAs, Ge, Si, AlAs, AlGaAs 중에서 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토믹서
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청구항 1에 있어서,상기 활성층과 상기 열전도층은 서로 밀착된 것을 특징으로 하는 포토믹서
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청구항 1에 있어서,상기 활성층의 일면에 연결되고 상기 열전도층과는 이격된 전극 패턴을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토믹서
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7
청구항 1에 있어서,상기 광이 입사되는 영역에 무반사막이 추가로 형성되되, 상기 무반사막은 상기 활성층의 상부에서 형성된 것을 특징으로 하는 포토믹서
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8
기판의 상면에 활성층을 형성하되, 광이 입사되는 영역에 상기 활성층을 형성하는 단계; 및상기 기판의 상면에 열전도층을 형성하되, 상기 광이 입사되는 영역을 제외한 나머지 영역에 상기 열전도층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 열전도층을 형성하는 단계는상기 광이 입사되는 영역을 제외한 영역에 상기 열전도층을 MOCVD법으로 재성장시켜 평탄화된 표면을 갖게 하고,상기 활성층을 형성하는 단계는MBE법으로 상기 활성층을 저온성장시키는 방법 및 MOCVD법으로 상기 활성층을 성장시키고, 그 위에 이온 임플란테이션을 실시하는 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 포토믹서의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계는,상기 기판의 상면에 버퍼층을 수직 및 수평하게 성장시키는 단계;상기 버퍼층의 상면에 상기 활성층을 수직 및 수평하게 성장시키는 단계; 및상기 성장된 활성층에서 상기 광이 입사되는 영역을 제외한 나머지 영역을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토믹서의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 활성층은 메사형 단면을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포토믹서의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 열전도층은 InP, GaAs, Ge, Si, AlAs, AlGaAs 중에서 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토믹서의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 활성층의 일면에 연결되고 상기 열전도층과는 이격되는 전극 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토믹서의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 광이 입사되는 영역에 무반사막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 포토믹서의 제조방법
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