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기판;상기 기판 상의 제 1 콘택 층;상기 제 1 콘택 층 상의 증폭 층;상기 증폭 층 상의 제 2 콘택 층; 및상기 제 2 콘택 층 상의 광 흡수 층을 포함하되,상기 증폭 층, 제 2 콘택 층, 및 상기 광 흡수 층은 게르마늄을 포함하는 광 검출기
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제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수 층은 진성 게르마늄을 포함하는 광 검출기
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제 1 항에 있어서,상기 증폭 층은 진성 게르마늄을 포함하는 광 검출기
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 콘택 층은 제 1 불순물로 도핑된 광 검출기
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제 4 항에 있어서,상기 제 2 콘택 층은 상기 제 1 불순물과 반대되는 도전성을 갖는 제 2 불순물로 도핑된 광 검출기
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6
제 4 항에 있어서,상기 광 흡수 층 상에 배치되고, 상기 제 1 불순물로 도핑된 제 3 콘택 층을 더 포함하는 광 검출기
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7
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 콘택 층과 상기 제 3 콘택 층은 실리콘을 포함하는 광 검출기
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제 7 항에 있어서,상기 증폭 층, 상기 제 2 콘택 층, 상기 광 흡수 층, 및 상기 제 3 콘택 층으로부터 이격되고, 상기 제 1 콘택 층 상에 배치되는 제 1 전극; 및상기 제 3 콘택 층 상에 배치된 제 2 전극을 더 포함하는 광 검출기
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9
제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 게르마늄과 실리콘의 초 격자를 포함하는 광 검출기
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10
제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 콘택 층 사이의 층간 절연 층을 더 포함하는 광 검출기
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11
제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 게르마늄과 실리콘의 초격자를 포함하는 광 검출기
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12
제 1 항에 있어서,상기 증폭 층과 상기 광 흡수 층은 게르마늄과 실리콘의 초 격자를 각각 포함하는 광 검출기
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13
제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 제 1 하프 초 격자 층 및 제 1 하프 진성 층을 포함하는 광 검출기
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14
제 13 항에 있어서,상기 제 1 하프 초 격자 층은 게르마늄과 실리콘의 초 격자를 포함하는 광 검출기
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15
제 1 항에 있어서,상기 증폭 층은 제 2 하프 초 격자 층 및 제 2 하프 진성 층을 포함하는 광 검출기
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16
제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 양자 점 또는 양자 선을 더 포함하는 광 검출기
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기판 상에 제 1 콘택 층을 형성하는 단계;상기 제 1 콘택 층 상에 증폭 층을 형성하는 단계;상기 증폭 층 상에 제 2 콘택 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 콘택 층 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 증폭 층, 상기 제 2 콘택 층 및 상기 제 2 콘택 층은 모두 게르마늄을 포함하고, 하나의 챔버 또는 클러스터 내에서 인시츄로 형성되는 광 검출기의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 1 콘택 층은 제 1 불순물로 도핑된 실리콘으로 형성되는 광 검출기의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 광 흡수 층 상에 제 3 콘택 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광 검출기의 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 제 3 콘택 층은 상기 제 1 불순물로 도핑된 실리콘으로 형성되는 광 검출기의 제조방법
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