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반도체층;상기 반도체층의 위에 형성된 시드층;상기 시드층의 위에 형성된 방사성동위원소층; 및상기 방사성동위원소층의 위에 형성되고 상기 방사성동위원소층의 방사선을 외부와 차폐하는 방사선 차폐층;을 포함하고,상기 방사선 차폐층은 Ni-62로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지
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청구항 1에 있어서,상기 방사성동위원소층은 Ni-63으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지
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청구항 1에 있어서,상기 반도체층은 P형 불순물층과 N형 불순물층이 상호 접합된 PN접합의 반도체층이고,상기 시드층은 상기 P형 불순물층의 위에 형성된 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지
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청구항 1에 있어서,상기 시드층은 Ni-62로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지
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반도체층을 준비하는 단계;상기 반도체층의 위에 시드층을 증착하는 단계;상기 시드층의 위에 방사성동위원소층을 증착하는 단계; 및상기 방사성동위원소층의 위에 상기 방사성동위원소층의 방사선을 외부와 차폐하는 방사선 차폐층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 방사선 차폐층은 Ni-62로 이루어지고,상기 방사선 차폐층을 형성하는 단계는 상기 방사성동위원소층의 위에 상기 Ni-62를 진공증착 또는 도금 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 방사성동위원소층은 Ni-63으로 이루어지고,상기 방사성동위원소층을 증착하는 단계는 상기 Ni-63을 도금 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 반도체층은 P형 불순물층과 N형 불순물층이 상호 접합된 PN접합의 반도체층이고,상기 시드층을 증착하는 단계는 상기 P형 불순물층의 위에 상기 시드층을 증착하는 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 시드층은 Ni-62로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사성동위원소 전지의 제조방법
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