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기판 상에 형성된 후면전극;상기 후면전극 상에 형성된 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 전면 투명전극을 포함하되,상기 버퍼층은 산화구리를 포함하는 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 산화구리는 CuxOy(0003c#x≤2
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제 2 항에 있어서,상기 산화구리의 y는 상기 버퍼층 내에서 동일하며, 상기 산화구리의 x는 상기 전면 투명전극과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면에서 상기 광 흡수층과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면으로 가까울수록 점진적으로 커지는 박막 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 산화구리의 y는 상기 버퍼층 내에서 동일하며, 상기 산화구리의 x는 상기 전면 투명전극과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면에서 상기 광 흡수층과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면으로 가까울수록 점진적으로 작아지는 박막 태양전지
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5 |
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제 3 항에 있어서,상기 버퍼층은 굴절률을 가지며, 상기 버퍼층의 굴절률은 상기 산화구리의 x가 증가할수록 커지는 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 1
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제 6 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 전면 투명전극과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면에서 상기 광 흡수층과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면으로 가까울수록 점진적으로 커지는 에너지 밴드갭을 갖는 박막 태양전지
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8
제 6 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 전면 투명전극과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면에서 상기 광 흡수층과 접촉하는 상기 버퍼층의 계면으로 가까울수록 점진적으로 작아지는 에너지 밴드갭을 갖는 박막 태양전지
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9
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 n형 반도체 특성을 가지고, 상기 광 흡수층에서 상기 버퍼층으로 전자가 정공보다 쉽게 이동하는 박막 태양전지
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10
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 p형 반도체 특성을 가지고, 상기 광 흡수층에서 상기 버퍼층으로 정공이 전자보다 쉽게 이동하는 박막 태양전지
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11
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 광 흡수층 상에 차례로 적층된 제 1 버퍼층 및 제 2 버퍼층을 포함하고, 상기 제 1 버퍼층은 산화구리를 포함하는 박막 태양전지
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12
제 11 항에 있어서,상기 제 2 버퍼층은 ZnS 또는 ZnOS을 포함하는 박막 태양전지
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