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전계 방출 전자원 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015091556
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전계 방출 전자원이 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 전계 방출 전자원은 전극 몸체와, 일부분은 상기 전극 몸체의 내부에 수용되고, 나머지 부분은 상기 전극 몸체로부터 노출되도록 형성된 탄소나노튜브를 포함할 수 있다.
Int. CL H01J 1/304 (2006.01.01) H01J 9/02 (2006.01.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020130016577 (2013.02.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2023004-0000 (2019.09.11)
공개번호/일자 10-2014-0102981 (2014.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20190919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강준태 대한민국 대구 서구
2 송윤호 대한민국 대전 서구
3 정진우 대한민국 대전 유성구
4 최성열 대한민국 울산 중구
5 김재우 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0139409-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0009558-33
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0034369-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0643739-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1128731-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1128730-27
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2019.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0171094-42
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0464795-87
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0464796-22
12 등록결정서
Decision to grant
2019.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0646138-71
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 전극,상기 베이스 전극의 일면에 부착된 금속, 그리고정해진 길이와 직경을 가지며, 상기 베이스 전극과 상기 금속의 일부를 제거하여 일부분이 상기 베이스 전극과 상기 금속의 결합으로 형성된 라인을 따라 상기 베이스 전극 및 상기 금속의 결합면 외부로 노출되도록 형성되는 복수의 탄소나노튜브를 포함하는 전계 방출 전자원
2 2
제1 항에 있어서,상기 베이스 전극과 상기 금속은 동일한 소재이고, 상기 소재는 금, 은, 구리, 텅스텐 및 니켈 중 선택된 어느 하나인, 이루어진 전계 방출 전자원
3 3
탄소나노튜브 현탁액을 제조하는 단계,정해진 길이와 직경을 가지는 복수의 탄소나노튜브를 베이스 전극의 일면 전체에 부착하는 단계,상기 베이스 전극에서 상기 복수의 탄소나노튜브가 형성된 상기 일면 전체와 동일한 크기의 금속을 상기 복수의 탄소나노튜브가 형성된 상기 일면 전체에 덮는 단계, 그리고상기 베이스 전극과 상기 금속의 일부를 제거하여 상기 복수의 탄소나노튜브의 일부분을 상기 베이스 전극과 상기 금속의 결합으로 형성된 라인을 따라 상기 베이스 전극 및 상기 금속의 결합면 외부로 노출시키는 단계를 포함하는 전계 방출 전자원 제조방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 현탁액을 제조하는 단계에서,상기 탄소나노튜브는 단층탄소나노튜브(SWNT : Single-Walled Carbon Nanotube, 2층탄소나노튜브(DWNT: Double-Walled Carbon Nanotube), 다층탄소나노튜브(MWNT: Multi-Walled Carbon Nanotube)중 선택된 어느 하나인, 전계 방출 전자원 제조방법
5 5
제3 항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 베이스 전극의 일면 전체에 부착하는 단계에서,전기영동법, 스핀코팅법, 프린팅법, 담지법 및 스프레이법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 상기 탄소나노튜브를 상기 베이스 전극의 일면에 부착하는, 전계 방출 전자원 제조방법
6 6
제3 항에 있어서,상기 금속을 상기 복수의 탄소나노튜브가 형성된 상기 일면 전체에 덮는 단계에서,상기 베이스 전극과 상기 금속은 동일한 소재이고, 상기 소재는 금, 은, 구리, 텅스텐 및 니켈 중 선택된 어느 하나인, 전계 방출 전자원 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.