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기판;상기 기판 상에 제 1 방향으로 연장되는 제 1 배선들;상기 제 1 배선들 상에 배치되고, 상기 제 1 배선들을 부분적으로 노출하는 홀들을 갖는 층간 절연 층;상기 홀들에 인접하는 상기 층간 절연 층 내에 배치되고, 상기 제 1 배선들에 교차되는 제 2 방향으로 연장되는 제 2 배선들; 및상기 제 1 배선들과 연결되어 상기 제 2 배선들과 교차되는 부분마다 상기 홀들의 중심에서 돌출되는 쐐기 전극들을 포함하되,상기 쐐기 전극들은 원뿔 모양을 갖고,상기 원뿔 모양의 상기 쐐기 전극들의 말단에 배치된 팁을 더 포함하되,상기 팁은 탄소 나노 튜브를 포함하는 나노 인쇄장치
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제 1 항에 있어서,상기 쐐기 전극은 몰리브덴을 포함하는 나노 인쇄장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 배선들은 상기 홀들을 중심으로 내경과 외경을 갖고, 상기 홀들을 둘러싸는 링 전극을 포함하는 나노 인쇄장치
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제 6 항에 있어서,상기 링 전극은 상기 홀들보다 큰 상기 내경을 갖는 나노 인쇄장치
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 배선들은 상기 링 전극에 중첩되고, 상기 쐐기 전극 아래에 배치되어 상기 홀들로부터 노출되는 바닥 플레이트를 포함하는 나노 인쇄장치
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제 7 항에 있어서,상기 홀들은 4마이크로미터의 최소 지름을 갖는 나노 인쇄장치
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제 1 항에 있어서,상기 홀들 및 쐐기 전극들은 상기 제 1 배선들과 상기 제 2 배선들에 의해 매트릭스 형태로 배열된 나노 인쇄장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배선들에 연결되는 데이터 드라이버; 및상기 제 2 배선들에 연결되는 스캔 드라이버를 더 포함하는 나노 인쇄장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 배선 및 상기 제 2 배선은 금, 은, 구리, 알루미늄, 텅스텐, 탄탈륨, 티탄, 니켈 중 적어도 하나를 포함하는 나노 인쇄장치
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제 1 항에 있어서,상기 층간 절연 층은,상기 제 1 배선들을 덮는 제 1 층간 절연 층; 및상기 제 1 층간 절연 층 및 상기 제 2 배선들을 덮는 제 2 층간 절연 층을 포함하는 나노 인쇄장치
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제 13 항에 있어서, 상기 제 1 층간 절연 층 및 상기 제 2 층간 절연 층은 실리콘 산화막, 또는 실리콘 질화막을 포함하는 나노 인쇄장치
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기판 상에 제 1 방향으로 연장되는 제 1 배선들을 형성하는 단계;상기 제 1 배선들 상에 제 1 층간 절연 층을 형성하는 단계;상기 제 1 층간 절연 층 상에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장되고, 상기 제 1 배선들에 중첩되는 링 전극을 갖는 제 2 배선들을 형성하는 단계;상기 제 2 배선 및 상기 제 1 층간 절연 층 상에 제 2 층간 절연 층을 형성하는 단계;상기 제 2 층간 절연 층과 상기 제 2 배선들 상에 희생 층을 선택적으로 형성하는 단계;상기 링 전극 내의 제 2 층간 절연 층과, 상기 제 2 층간 절연 층 아래의 제 1 층간 절연 층을 제거하여 상기 제 1 배선들을 부분적으로 노출하는 홀들을 형성하는 단계; 및상기 홀들 내의 상기 제 1 배선들 상에 쐐기 전극들을 형성하는 단계를 포함하되,상기 쐐기 전극들을 형성하는 단계는: 상기 희생 층 상에 금속 층을 형성하는 단계; 및상기 희생 층을 제거하여 상기 희생 층 상의 금속 층을 리프트 오프시키는 단계를 포함하는 나노 인쇄장치의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 금속 층과 상기 쐐기 전극은, 경사 증착 방법으로 형성된 나노 인쇄장치의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 홀은 상기 링 전극보다 작은 직경으로 형성된 나노 인쇄장치의 제조방법
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