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입력 커넥터와 출력 커넥터와의 사이에 형성되는 동축 선로의 중심 전극에 형성되되, 다수의 다이오드를 직렬로 배열하여 적층시킨 다이오드 스택부를 하나 이상 포함하는 적층 다이오드부; 및 상기 커넥터들과 상기 동축 선로 간의 유전체를 이종의 유전체로 구성시켜서, 상기 커넥터들과 상기 동축 선로 간의 임피던스를 정합하는 임피던스 정합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 1에 있어서,상기 적층 다이오드부는, 2개 이상의 다이오드가 직렬로 적층되되 역병렬 접속 구조로 상기 동축 선로의 중심 전극에 형성된 제 1 다이오드 스택부; 및 1개의 다이오드가 역병렬 접속 구조로 상기 동축 선로의 중심 전극에 형성된 제 2 다이오드 스택부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 2에 있어서,상기 제 1 다이오드 스택부와 상기 제 2 다이오드 스택부의 동작 전력 한계는 상이하고, 상기 제 1 다이오드 스택부와 상기 제 2 다이오드 스택부중에서 상기 동작 전력 한계가 높은 다이오드 스택부가 상기 입력 커넥터에 보다 근접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 2에 있어서,상기 제 1 다이오드 스택부와 상기 제 2 다이오드 스택부는 1/4파장 길이 단위로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 1에 있어서,상기 적층 다이오드부는, 2개 이상의 다이오드가 직렬로 적층되되 싱글 엔드 접속 구조로 상기 동축 선로의 중심 전극에 형성된 제 1 다이오드 스택부; 및 1개의 다이오드가 싱글 엔드 접속 구조로 상기 동축 선로의 중심 전극에 형성된 제 2 다이오드 스택부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 5에 있어서,상기 제 1 다이오드 스택부와 상기 제 2 다이오드 스택부의 동작 전력 한계는 상이하고, 상기 제 1 다이오드 스택부와 상기 제 2 다이오드 스택부중에서 상기 동작 전력 한계가 높은 다이오드 스택부가 상기 입력 커넥터에 보다 근접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 5에 있어서,상기 제 1 다이오드 스택부와 상기 제 2 다이오드 스택부는 1/4파장 길이 단위로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 1에 있어서,상기 다수의 다이오드는 납땜 또는 전도성 에폭시를 통해 서로 연결되고,상기 다이오드 스택부는 일측에 나사산이 형성된 연결 시편의 타측에 납땜되고, 상기 동축 선로의 중심 전극에는 상기 나사산에 대응되는 나사탭이 형성되어,상기 나사산과 나사탭의 나사 결합에 의해 상기 다이오드 스택부가 상기 동축 선로의 중심 전극에 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 1에 있어서,상기 다수의 다이오드는 각각 PIN 다이오드로 구성되는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 1에 있어서,상기 적층 다이오드부가 형성된 상기 동축 선로의 중심 전극은 하우징에 의해 보호되되, 상기 적층 다이오드부 및 상기 동축 선로의 중심 전극은 상기 하우징의 내부에 길이 방향으로 형성된 구멍에 설치되고, 상기 적층 다이오드부의 다이오드 스택부의 일측 끝단은 상기 하우징에 접촉되는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 1에 있어서,상기 임피던스 정합부는 내부가 중공(中空)이면서 콘 형상의 경사진 단면 구조를 가지는 유전체; 및 상기 유전체의 내부에 삽입되되 콘 형상의 경사진 단면 구조를 가지고 일측 외주면이 상기 유전체의 내주면과는 이격되는 컨덕터;를 포함하고,상기 유전체와 상기 컨덕터와의 이격 공간에는 공기층이 형성되고,상기 유전체와 상기 컨덕터의 일단은 상기 입력 커넥터와 연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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청구항 11에 있어서,상기 유전체와 상기 컨덕터의 일단은 상기 입력 커넥터의 중심 전극을 감싸게 상기 입력 커넥터와 연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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13
청구항 1에 있어서,상기 적층 다이오드부에 의한 전력 제한 동작시 상기 다이오드 스택부의 양단에 발생하는 직류 전압을 바이패스하는 인덕터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 다이오드 리미터
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