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기판,상기 기판 위에 위치하는 n형 반도체층,상기 n형 반도체층 위에 위치하는 활성층,상기 활성층 위에 위치하는 p형 반도체층,상기 p형 반도체 층 위에 위치하며 금속-산화물로 이루어지는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 위치하며 그래핀으로 이루어지는 제2 전극,상기 제2 전극 위에 위치하는 p형 전극, 그리고상기 n형 반도체층 위에 위치하는 n형 전극을 포함하고,상기 제1 전극의 일함수는 상기 p형 반도체층의 일함수보다 작고, 상기 제2 전극의 일함수보다 큰 발광 다이오드
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제1항에서,상기 제1 전극은 그물망 구조를 가지는 발광 다이오드
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제2항에서,상기 제1 전극은 원형 또는 다각형으로 이루어지며 행렬을 이루는 복수의 제1 도전 패턴,상기 제1 도전 패턴으로부터 돌출하여 이웃하는 제1 도전 패턴 사이를 연결하는 복수의 제2 도전 패턴,상기 제1 도전 패턴으로부터 상기 제2 도전 패턴과 수직한 방향으로 돌출하여 이웃하는 제1 도전 패턴 사이를 연결하는 복수의 제3 도전 패턴을 포함하고,상기 제2 도전 패턴과 상기 제3 도전 패턴은 선형인 발광 다이오드
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제2항에서,상기 제1 전극의 선폭은 10nm 내지 100nm 인 발광 다이오드
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제1항에서,상기 제1 전극은 ITO, ZnO, SnO2, TiO2, SbO2, NiO, CrO, CuO 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드
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기판 위에 n형 반도체층을 형성하는 단계,상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계,상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계,상기 p형 반도체 층 위에 마스크를 배치한 후 전기 방사 방법으로 제1 전극을 형성하는 단계,상기 마스크를 제거한 후 상기 제1 전극 위에 그래핀으로 이루어지는 제2 전극을 형성하는 단계,상기 제2 전극 위에 p형 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 n형 반도체층 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제6항에서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는선형의 제1 개구 패턴을 가지는 제1 마스크를 배치하는 단계,상기 제1 개구 패턴 내에 방사 용액을 방사하여 상기 제1 전극의 제1 도전 패턴을 형성하는 단계,상기 제1 개구 패턴 위에 선형의 제2 개구 패턴을 가지는 제2 마스크를 배치하는 단계,상기 제2 개구 패턴 내에 상기 방사 용액을 방사하여 상기 제1 전극의 제2 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 개구 패턴과 상기 제1 개구 패턴은 교차하도록 배치하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제7항에서,상기 방사 용액은 10cPs 내지 50cPs의 점도를 가지는 발광 다이오드의 제조 방법
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제8항에서,상기 방사 용액은 아연(Zn), 인(In), 티타니움(Ti), 주석(Sn), 동(Cu) 및 안티몬(Sb) 등의 금속 입자를 포함하는 쿠퍼아세테이트(cooper-acetate), 모노하이트레이트(mono hydrate, (CH3COO)2Cu), 타티늄테트라-이소프로폭사이드(titanium tetra-isopropoxide, Ti[OCH(CH3)2]4), 틴 이소-프로폭사이드(Sn[OCH(CH3)2]4), 안티모니 이소-프로폭사이드(antimony iso-propoxide, C9H21O3Sb) 와 같은 금속염과 10cps 내지 50cps의 점도를 가지는 용매를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제9항에서,상기 용매는 디-에틸렌 글리콜(di-ethylene glycol), 테르피네올(terpineol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 디-에틸렌 글리콜 모노 벤질 에테르(di-ethylene glycol mono-benzyl ether), 프로필렌 글리콜 모노-페닐 에테르(propylene glycol mono-phenyl ether), 글리세롤(glycerol), 플로필렌 글리콜(propylene glycol), 트리-에틸렌 글리콜(tri-ethylene glycol) 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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기판 위에 n형 반도체층을 형성하는 단계,상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계,상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계,상기 기판 아래에 전계 유도 패턴을 배치하는 단계,상기 p형 반도체 층 위에 전기 방사 방법으로 금속-산화물로 이루어지는 제1 전극을 형성하는 단계,상기 전계 유도 패턴을 제거하고 상기 제1 전극 위에 그래핀으로 이루어지는 제2 전극을 형성하는 단계,상기 제2 전극 위에 p형 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 n형 반도체층 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제11항에서,상기 전계 유도 패턴과 상기 제1 전극은 그물망 구조를 가지는 발광 다이오드의 제조 방법
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제11항에서,상기 제1 전극은 10cPs 내지 50cPs의 점도의 방사 용액으로 형성하는 발광 다이오드의 제조 방법
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