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저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015091757
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 광검출기에서 상대적으로 낮은 전압을 인가하면서도, 높은 이득을 성취하여, 수신감도를 증가시키고, 고속 특성을 가질 수 있는 실리콘 기판 기반의 게르마늄 반도체 광검출기를 제공한다. 실리콘 기판상에 게르마늄 기반의 증폭 층, 즉 단일 게르마늄 층이나 게르마늄/실리콘 초격자층을 적용하고, 그 상부에 게르마늄 챠지 층을 적용하며, 상기 챠지 층 상에 게르마늄 광 흡수 층을 적용하고, 상기 광흡수층 상의 폴리실리콘 제2 콘택 층을 적용한다. 또한 여기서 광흡수층은 게르마늄 양자점/양자선 층을 적용할 수도 있다.
Int. CL	H01L 31/10 (2006.01)
CPC	H01L 31/028(2013.01) H01L 31/028(2013.01) H01L 31/028(2013.01) H01L 31/028(2013.01)
출원번호/일자	1020130061169 (2013.05.29)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0025270 (2014.03.04) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020130033585 \| 2013.03.28 대한민국 \| 1020120090860 \| 2012.08.20
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.05.29)
심사청구항수	18

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김경옥	대한민국	대전 유성구
2	김상훈	대한민국	대전 서구
3	장기석	대한민국	대전 대덕구
4	김인규	대한민국	대전 유성구
5	오진혁	대한민국	경기 의정부시 가금
6	김선애	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2013-0478728-93
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.02.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0127518-14
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0045362-11
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.06.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0417909-47
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.08.03	수리 (Accepted)	1-1-2016-0755240-04
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.08.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0755248-68
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.08.04	무효 (Invalidation)	1-1-2016-0760623-05
9	보정요구서 Request for Amendment	2016.08.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2016-0121294-04
10	무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation	2016.09.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2016-0139169-60
11	등록결정서 Decision to grant	2017.01.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0053555-85

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판;상기 기판 상의 제 1 콘택 층;상기 제 1 콘택 층 상의 증폭 층;상기 증폭 층 상의 챠지 층; 상기 챠지 층에 인접하는 상기 증폭 층 상에 배치되고, 상기 챠지 층과 동일한 재질로 형성된 플로팅 가드 링;상기 챠지 층 상의 광 흡수층; 및상기 광 흡수 층 상의 제2 콘택 층을 포함하되상기 증폭 층, 상기 챠지 층, 및 상기 광 흡수 층은 게르마늄을 포함하는 광 검출기
2	2 제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 진성 게르마늄을 포함하는 광 검출기
3	3 제 1 항에 있어서,상기 증폭 층은 진성 게르마늄을 포함하는 광 검출기
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 콘택 층은 제 1 불순물로 도핑된 광 검출기
5	5 제 4 항에 있어서,상기 챠지 층은 상기 제 1 불순물과 반대되는 도전성을 갖는 제 2 불순물로 도핑된 광 검출기
6	6 제 5 항에 있어서,상기 제 2 콘택 층은 상기 제 2 불순물로 도핑된 광 검출기
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 콘택 층은 게르마늄을 포함하는 광 검출기
8	8 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 콘택 층은 폴리 실리콘을 포함하는 광 검출기
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 콘택 층은 실리콘을 포함하는 광 검출기
10	10 제 1 항에 있어서,상기 증폭 층은 게르마늄과 실리콘의 초 격자를 포함하는 광 검출기
11	11 제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 게르마늄과 실리콘의 초 격자를 포함하는 광 검출기
12	12 제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 콘택 층 사이의 층간 절연 층을 더 포함하는 광 검출기
13	13 삭제
14	14 제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 양자 점 또는 양자 선을 포함하는 광 검출기
15	15 제 1 항에 있어서,상기 광 흡수 층은 실리콘/게르마늄 초 격자 층과 진성 게르마늄 층을 포함하는 광 검출기
16	16 삭제
17	17 기판 상에 제 1 콘택 층을 형성하는 단계;상기 제 1 콘택 층 상에 증폭 층을 형성하는 단계;상기 증폭 층 상에 챠지 층을 형성하는 단계;상기 챠지 층에 인접하는 상기 증폭 층 상에 상기 챠지 층과 동일한 재질로 플로팅 가드 링을 형성하는 단계; 및상기 챠지 층 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 증폭 층, 상기 챠지 층 및 상기 광 흡수 층은 모두 게르마늄을 포함하고, 하나의 챔버 또는 클러스터 내에서 인시츄로 형성되는 광 검출기의 제조방법
18	18 제 17 항에 있어서,상기 제 1 콘택 층은 제 1 불순물로 도핑된 실리콘으로 형성되는 광 검출기의 제조방법
19	19 제 18 항에 있어서,상기 광 흡수 층 상에 제 2 콘택 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광 검출기의 제조방법
20	20 제 19 항에 있어서,상기 제 2 콘택 층은 상기 제 1 불순물과 다른 제 2 불순물로 도핑된 폴리실리콘으로 형성되는 광 검출기의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	KR1020140025265	KR	대한민국	FAMILY
2	US09171996	US	미국	FAMILY
3	US20140048772	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	KR20140025265	KR	대한민국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국전자통신연구원	산업원천기술개발사업(ETRI지원사업)	실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2013-0478728-93
2	[명세서등 보정]보정서	2014.02.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0127518-14
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0045362-11
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
5	의견제출통지서	2016.06.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0417909-47
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.08.03	수리 (Accepted)	1-1-2016-0755240-04
7	[명세서등 보정]보정서	2016.08.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0755248-68
8	[명세서등 보정]보정서	2016.08.04	무효 (Invalidation)	1-1-2016-0760623-05
9	보정요구서	2016.08.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2016-0121294-04
10	무효처분통지서	2016.09.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2016-0139169-60
11	등록결정서	2017.01.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0053555-85


과제고유번호	1711006488
세부과제번호	10038764
연구과제명	실리콘 나노포토닉스기반 차세대 컴퓨터칩기술
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201103~201602
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

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