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평행으로 서로 이격되며 바이어스 전압에 연결된 복수의 제1 전극들;상기 제1 전극들 사이에 설치되며 접지레벨에 연결된 제2 전극; 기판에 형성된 포토컨닥티브 층의 상부에서 상기 제1 전극들 중 상부 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며 미리 설정된 간격으로 배열된 복수의 제1 단위 금속 셀 어레이를 포함하는 제1 포토닉 크리스탈; 및 상기 포토컨닥티브 층의 상부에서 상기 제1 전극들 중 하부 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며 미리 설정된 간격으로 배열된 복수의 제2 단위 금속 셀 어레이를 포함하는 제2 포토닉 크리스탈을 구비하는,서브 포토믹서 어레이를 포함하되,상기 제1 포토닉 크리스탈은 광 흡수 영역으로서 사용되고, 상기 제2 포토닉 크리스탈은 광 반사 영역으로서 사용되는 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 상기 제1,2 단위 금속 셀 어레이의 사이즈는 서로 다른 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제14항에 있어서, 상기 제1 단위 금속 셀 어레이의 사이즈는 상기 제2 단위 금속 셀 어레이의 사이즈 보다 작은 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 상기 서브 포토믹서 어레이는 하나의 대형 포토믹서를 형성하기 위해 적어도 3개 이상 배열되는 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제16항에 있어서, 상기 서브 포토믹서 어레이는 하나의 대형 포토믹서를 형성 시에 상기 제1,2 전극들이 서로 교대로 배치되는 IDT(interdigitated)구조를 가지는 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 상기 제1,2 단위 금속 셀 어레이는 제1,2 방향에서 설정 간격으로 배치된 적어도 4개의 금속 셀을 포함하는 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제22항에 있어서, 상기 금속 셀의 평면 형상은 원형, 3각형, 사각형, 오각형, 육각형, 칠각형, 팔각형, 구각형, 십각형, 십일각형, 십이각형, 십삼각형, 및 십자형 중의 선택된 하나 이상인 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제22항에 있어서, 상기 설정 간격은 대칭적 격자 구조 혹은 비대칭적 격자 구조를 이루도록 형성된 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 테라헤르츠파의 발생 조절을 위해 상기 제1,2 단위 금속 셀 어레이의 미리 설정된 간격과 배열의 주기는 제작시에 가변 가능하게 되는 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 상기 제1 전극들은 서로 다른 바이어스 전압들이 제공되는 양극들이고, 상기 제2 전극은 그라운드 전위가 인가되는 음극인 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 상기 포토컨닥티브 층은 저온 성장법으로 형성되는 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 상기 포토컨닥티브 층은 InGaAs 재질이나 InGaAsP 재질로 이루어진 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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제11항에 있어서, 상기 포토컨닥티브 층은 InGaAs 재질로 이루어진 층과 InAlAs 재질로 이루어진 층을 포함하는 다층박막인 대면적 어레이형 포토닉 크리스탈 포토믹서
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