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에어 갭(air gap)을 갖는 기판;상기 기판 상에 제공되고, 전극패드들을 포함하는 주변부;상기 전극패드들로부터 연결되는 감지 전극들 및 상기 감지 전극들 상의 감지막을 포함하고, 상기 에어 갭 상에 플로팅(floating) 되는 센서부; 및상기 주변부와 상기 센서부를 연결하고, 상기 전극패드들과 상기 감지 전극들을 전기적으로 연결하는 도전선들을 포함하는 연결부를 포함하고,상기 에어 갭은 상기 기판을 관통하고,상기 에어 갭으로부터 상기 주변부와 상기 센서부 사이로 연장되는 열 고립영역이 제공되고,상기 연결부는 상기 열 고립영역에 의해 정의되는 측벽을 갖고 상기 주변부로부터 연장되는 하나의 캔티레버(cantilever) 형상을 포함하고,상기 주변부, 센서부 및 연결부는 차례로 적층된 제1 멤브레인, 제2 멤브레인 및 제3 멤브레인을 더 포함하되, 상기 제1 및 제3 멤브레인들은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 어느 하나를 포함하고, 제2 멤브레인은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 다른 하나를 포함하고,상기 센서부는 상기 제2 멤브레인 상의 히팅 저항체 및 상기 제1 멤브레인과 상기 제2 멤브레인 사이에 제공되는 열 분산막을 더 포함하는 마이크로 반도체식 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 감지 전극들은 상기 제2 멤브레인 상에 제공되고, 상기 제3 멤브레인은 상기 감지 전극들을 노출하며 상기 히팅 저항체를 덮고, 상기 감지막은 상기 제3 멤브레인 상에 제공되고 상기 노출된 감지 전극들과 전기적으로 연결되는 마이크로 반도체식 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 센서부는 상기 제2 멤브레인과 상기 제3 멤브레인 사이에 제공되는 온도 센서를 더 포함하는 마이크로 반도체식 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 히팅 저항체는 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 실리콘(Si), 실리콘 합금 또는 전도성 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 마이크로 반도체식 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 산화 알루미늄(Al2O3), 유리, 석영(quartz), 갈륨 비소(GaAs) 및 갈륨 질소(GaN) 중 적어도 하나를 포함하는 마이크로 반도체식 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 감지 전극들은 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 실리콘(Si), 실리콘 합금 및 전도성 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 마이크로 반도체식 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 감지막은 금속 산화물, 금 나노입자, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(Carbon nanoTube), 풀러렌(fullerene) 및 이황화 몰리브덴(MoS2) 중 적어도 하나를 포함하는 마이크로 반도체식 가스 센서
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