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유기용액과 무기용액을 혼합하여 액상 유기 입자들을 포함하는 에멀전을 제조하는 것;상기 에멀전을 기판 상에 도포하는 것;상기 액상 유기 입자들을 경화하여 고상 유기 입자들을 형성하는 것; 및상기 무기용액을 경화시켜 상기 기판 상에 광 산란층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 광 산란층은 무기 필름 및 상기 무기 필름 내에 배치된 액상 유기 입자들을 포함하고,상기 액상 유기 입자들과 상기 무기용액의 부피비는 1:1 내지 1:10인 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 에멀전을 제조하는 것은,상기 유기용액과 상기 무기용액이 혼합된 혼합물에 계면활성제 또는 유화제를 첨가하는 것; 및상기 혼합물을 교반하여 상기 유기용액을 작은 액적으로 분리시켜, 상기 무기용액 내에 분산된 상기 액상 유기 입자들을 형성하는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기용액은 저 굴절률의 유기소재를 포함하여 이루어진 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 3 항에 있어서,상기 유기용액은 불소계 수지, acryl계 수지, ethylene계 수지, epoxy계 수지 또는 imide계 수지인 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 4 항에 있어서,상기 불소계 수지는 불화 유기 화합물, 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene), 퍼플루오로알콕시 레진(perfluoroalkoxy resin), FEP(fluorinated ethylene propylene), 클로로플루오로에틸린(chlorofluoroethylene), 테트라플루오로에틸렌(tetrafluoroethylene), 불화폴리비닐리덴(polyvinyliden fluoride)을 포함하는 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 고상 유기 입자들은 1
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제 1 항에 있어서,상기 무기용액은 고 굴절률의 무기용액인 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 7 항에 있어서,상기 무기용액은 금속 알콕사이드 용액, 금속 산화물 나노 입자가 분산된 수계, 또는 알코올계 용매를 사용하는 콜로이드 졸 용액인 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 7 항에 있어서,상기 무기용액은 TiO2 입자, ZnO 입자, SnO 입자, In2O3 입자, ZrO2 입자, 또는 WO3 입자를 포함하는 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 고상 유기 입자들은 상기 액상 유기 입자들이 자외선에 의해 경화되어 형성된 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 액상 유기 입자들은 10nm 내지 1000nm의 직경을 갖는 유기발광 다이오드의 형성방법
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 무기필름은 상기 무기용액 중의 용매가 가열된 상기 기판에 의해 증발되어 형성되는 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기필름은 1
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제 1 항에 있어서,상기 광 산란층은 300nm 내지 10㎛의 두께를 갖는 유기발광 다이오드의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 광 산란층을 형성한 후에, 상기 광 산란층 상에 애노드 전극, 유기 발광층, 캐소드 전극, 봉지층 및 보호막을 차례로 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 형성방법
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유기용액과 무기용액을 혼합하여 액상 유기 입자들을 포함하는 에멀전을 제조하는 것;상기 에멀전에 자외선을 조사하여 액상 유기 입자들을 경화시켜 상기 무기용액에 분산된 고상 유기 입자들을 형성하는 것;상기 무기용액을 기판에 도포하는 것; 및상기 무기용액을 가열하여 경화시켜 상기 기판 상에 광 산란층을 형성하는 것을 포함하되,상기 광 산란층은 무기 필름 및 상기 무기 필름 내에 분산된 액상 유기 입자들을 포함하고,상기 액상 유기 입자들과 상기 무기용액의 부피비는 1:1 내지 1:10인 유기발광 다이오드의 형성방법
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