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실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 배치되고 제 1 도전형 불순물로 도핑된 하부 반사층;상기 하부 반사층 상의 광 생성층; 및상기 광 생성층 상의 상부 반사층을 포함하되, 상기 하부 반사층, 상기 광 생성층, 및 상기 상부 반사층은 웨이퍼 접합에 의해 단일 집적된 Ⅲ-Ⅴ반도체 광원 활성층을 포함하되,상기 실리콘 기판은:벌크 실리콘층;상기 벌크 실리콘층 상에 배치되고, 상기 제 1 도전형 불순물로 도핑되어 상기 하부 반사층과 전도성 접합 계면을 갖는 제 1 불순물층; 및 상기 제 1 불순물층과 상기 하부 반사층 사이의 가장자리에 배치된 하부 전류 조리개를 포함하되,상기 하부 전류 조리개는 상기 제 1 불순물층의 상기 제 1 도전형 불순물보다 작은 농도의 상기 제 1 도전형 불순물로 도핑된 제 2 불순물층을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
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제 1 항에 있어서,상기 광 생성층은 상기 하부 반사층과 상기 상부 반사층 사이의 가장자리에 배치된 상부 전류 조리개(current aperture)를 갖는 수직공진 표면방출 레이저
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제 6 항에 있어서,상기 상부 전류 조리개는 산화막 또는 언더 컷을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 불순물층과 상기 하부 반사층 사이의 접합 박막층을 더 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
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제 8 항에 있어서,상기 접합 박막층은 금속층을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
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제 1 항에 있어서,상기 하부 반사층 외곽의 상기 제 1 불순물층 상의 하부 전극; 및상기 상부 반사층 상의 상부 전극을 더 포함하는 수직공진 표면방출 레이저
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실리콘 기판을 제공하는 단계;Ⅲ-Ⅴ족 반도체 기판 및 상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 기판 상의 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 광원 활성 층을 포함하는 웨이퍼를 상기 실리콘 기판에 접합(bonding)하는 단계; 상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 기판을 제거하는 단계; 및상기 실리콘 기판 가장자리 상의 상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 광원 활성층을 제거하여 하부 반사층, 광 생성층, 및 상부 반사층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 실리콘 기판의 제공 단계는:상기 실리콘 기판의 상부에 제 1 불순물층을 형성하는 단계; 및상기 하부 반사 층의 둘레에 대응되는 상기 제 1 불순물층의 가장자리에 하부 전류 조리개를 형성하는 단계를 포함하되,상기 하부 전류 조리개는 상기 제 1 불순물층에 도핑된 제 1 도전형 불순물보다 높은 농도의 상기 제 1 도전형 불순물로 도핑된 제 2 불순물층을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 웨이퍼 접합 단계는, 표면 활성화 접합 방법 또는 소수성 직접 접합 방법을 포함하는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 광원 활성층을 패터닝 단계는:상기 하부 반사층과 상기 상부 반사층 사이의 상기 광 생성층의 가장자리에 상부 전류 조리개를 형성하는 단계를 포함하는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 웨이퍼 접합 단계는,상기 실리콘 기판과 상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 광원 활성층 사이에 금속 접합층을 형성하는 단계를 포함하는 수직공진 표면방출 레이저의 제조방법
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