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기판 위에 형성되어 있는 결합부,상기 결합부에 의해서 상기 기판에 고정되는 복수의 탄소 나노 튜브,를 포함하고,상기 결합부는 카바이드 계열의 제1 무기 충전제와 금속으로 이루어지는 제2 무기 충전제를 포함하는 전계방출 에미터 전극
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제1항에서,상기 기판은 상기 제2 무기 충전제를 포함하는 합금으로 이루어진 전계방출 에미터 전극
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제1항에서,상기 탄소나노튜브는 상기 기판에 대해서 수직한 방향으로 돌출하여 배열되어 있는 전계방출 에미터 전극
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제1항에서,상기 탄소나노튜브는 SWNT, DWNT, MWNT 및 thin-MWNT 중 적어도 하나를 포함하는 전계방출 에미터 전극
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제1항에서,상기 제1 무기 충전제는 SiC, TiC, HfC 중 적어도 하나를 포함하는 전계방출 에미터 전극
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제1항에서,상기 제2 무기 충전제는 Ni, Ta, Cu, Ti, Pd, Zn, Au, Fe 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 전계방출 에미터 전극
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기판 위에 탄소나노튜브, 제1 무기 충전제, 제2 무기 충전제, 용매 및 유기 바인더를 혼합하여 페이스트를 준비하는 단계,상기 기판 위에 페이스트를 도포하여 페이스트 층을 형성하는 단계,상기 페이스트층을 건조하는 단계,상기 페이스트층을 1차 열처리하는 단계,상기 페이스트층을 2차 열처리하는 단계,상기 페이스트층을 표면 처리하는 단계를 포함하고,상기 제1 무기 충전제는 카바이드 계열이고, 상기 제2 무기 충전제는 나노 금속인 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 1차 열처리하는 단계 후 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 건조하는 단계는 90℃ 내지 120℃ 온도로 10분 내지 20분간 실시하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 1차 열처리하는 단계는 250℃ 내지 400℃ 온도로 1시간 내지 3시간 동안 실시하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 2차 열처리하는 단계는 진공 속에서 650℃ 내지 1,000℃의 온도에서 진행하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 탄소나노튜브는 SWNT, DWNT, MWNT 및 thin-MWNT 중 적어도 하나를 포함하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 제1 무기 충전제는 SiC, TiC, HfC 중 적어도 하나를 포함하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 제2 무기 충전제는 Ni, Ta, Cu, Ti, Pd, Zn, Au, Fe 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제8항에서,상기 표면 처리 단계는상기 탄소나노튜브가 상기 기판 표면에 대해서 수직한 방향으로 세워지도록 하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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제15항에서,상기 표면 처리 단계는롤러 또는 테이프를 이용하여 진행하는 전계방출 에미터 전극의 제조 방법
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