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제 1 도전형의 반도체 기판;상기 제 1 도전형의 반도체 기판의 일면 상에 배치된 제 2 도전형의 반도체 층;상기 제 1 도전형의 반도체 기판의 타면 상에 배치된 부동층; 상기 제 2 도전형의 반도체 층 상에 배치된 전면전극; 및상기 부동층 상에 배치된 후면전극을 포함하되,상기 부동층은 복수 개의 결정화도가 다른 실리콘 층들을 포함하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 부동층은 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 차례로 적층된 계면층 및 캐핑층을 포함하되,상기 계면층은 상기 캐핑층보다 결정화도가 낮은 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 계면층 및 상기 캐핑층은 비정질 실리콘을 포함하는 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 계면층 및 상기 캐핑층 중 적어도 하나는 비정질상과 결정상이 혼합된 실리콘을 포함하는 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 계면층 및 상기 캐핑층 중 적어도 하나는 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 탄화물(SiCx), 실리콘-게르마늄 화합물(SiGe), 알루미늄 산화물(AlOx), 또는 타이타늄 산화물(TiOx)을 포함하는 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 계면층은 상기 캐핑층보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 부동층은 5nm 내지 100nm의 두께를 갖는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 부동층은 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 차례로 적층된 계면층, 중간층 및 캐핑층을 포함하는 태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 계면층은 상기 캐핑층보다 결정화도가 낮으며, 상기 중간층은 상기 계면층 및 상기 캐핑층보다 결정화도가 낮은 태양전지
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제 9 항에 있어서,상기 중간층은 비정질 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물 실리콘 게르마늄 화합물, 알루미늄 산화물(AlOx), 또는 타이타늄 산화물(TiOx)을 포함하는 태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 중간층은 복수 개로, 상기 계면층에서 상기 캐핑층으로 점진적으로 증가 또는 감소하는 결정화도를 가지는 태양전지
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12
제 8 항에 있어서,상기 계면층, 상기 중간층 및 상기 캐핑층 중 적어도 어느 하나는 도펀트가 도핑된 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 도펀트는 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인(P), 비소(As), 또는 질소(N)인 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 부동층은 돌출부와 오목부가 교대로 그리고 반복적으로 가지는 상부면을 갖는 태양전지
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제 14 항에 있어서,상기 부동층은 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 차례로 적층된 계면층 및 캐핑층을 포함하되,상기 계면층의 상부면은 상기 부동층의 상부면과 동일한 형태의 표면을 갖는 태양전지
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제 14 항에 있어서,상기 부동층은 5nm 내지 100nm의 두께를 갖는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형의 반도체 기판은 단결정 실리콘 기판을 포함하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 도전형의 반도체 기판과 상기 전면전극 사이에 개재된 반사 방지막을 더 포함하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 도전형의 반도체 기판과 상기 전면전극 사이에 상기 부동층을 더 포함하는 태양전지
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