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전극 표면 상에 형성된, 나노튜브, 중공형 나노입자 및 나노와이어로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 제1 금속 나노입자 및 제2 금속 나노입자를 포함하는 나노입자층을 포함하는 다공성 신경전극
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제1항에 있어서,상기 나노입자층의 두께는 40 nm 내지 1 mm두께인 것인, 다공성 신경전극
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제1항에 있어서,상기 제1 금속은 금을 포함하고, 상기 제2 금속은 백금을 포함하는 것이거나,상기 제1 금속은 백금을 포함하고, 상기 제2 금속은 이리듐을 포함하는 것인, 다공성 신경전극
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제1항에 있어서, 임피던스가 1×107 at 1kHz 이하인 것인, 다공성 신경전극
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제1항에 있어서, 축전용량이 1 mF/Cm2 이상인 것인, 다공성 신경전극
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6
제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노입자, 상기 제2 금속 나노입자 또는 이 둘 각각에, 기능성 작용기가 결합한 것인, 다공성 신경전극
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7
제6항에 있어서,상기 기능성 작용기는, 상기 제1 금속 나노입자, 상기 제2 금속입자 또는 이 둘에 자기조립 결합한 것인, 다공성 신경전극
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8
제6항에 있어서,상기 기능성 작용기는 생체 친화성 작용기인 것인, 다공성 신경전극
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9
제6항에 있어서,상기 기능성 작용기는 티올기를 포함하는 것인, 다공성 신경전극
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 다공성 신경전극을 포함하는 신경신호 측정 장치
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11
제1 금속 전구체 용액, 제2 금속 전구체 용액 및 계면활성제를 포함하는 혼합용액을 제조하는 단계;상기 혼합용액에 대상 전극을 넣고, 상기 대상 전극의 표면에 제1 금속 나노입자 및 제2 금속 나노입자를 동시 전착(electro-co-deposition)시키는 단계; 및상기 제1 금속 나노입자 및 상기 제2 금속 나노입자가 전착된 대상 전극을 세척하여 상기 계면활성제를 제거하여, 상기 제1 금속 나노입자 및 상기 제2 금속 나노입자를 포함하는 탄소나노튜브, 중공형 나노입자 또는 이 둘을 형성하는 단계;를 포함하는 다공성 신경전극의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 금속 전구체는 HAuCl4 또는 KAuCl4이고, 상기 제2 금속 전구체는 H2PtCl6 또는 K2PtCl6인 것인, 다공성 신경전극의 제조방법
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13
제11항에 있어서,상기 계면활성제는 상기 혼합용액 중 0
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제11항에 있어서,상기 계면활성제는 P123, SDS, CTAB 및 Triton X로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것인, 다공성 신경전극의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 동시 전착(electro-co-deposition)은 순환전압전류(Cyclovoltammetry) 또는 일정 전압 방법에 의하는 것인, 다공성 신경전극의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 세척 단계 이후에,기능성 작용기를 도입하여, 상기 제1 금속 나노입자, 상기 제2 금속입자 또는 이 둘 각각에, 상기 기능성 작용기가 결합하도록 하는 단계;를 더 포함하는 것인, 다공성 신경전극의 제조방법
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