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태양전지

  • 기술번호 : KST2015092165
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양전지의 구조를 제공한다. 이 박막 태양전지의 구조는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 제공된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 제공된 p-형 반도체층; 상기 P-형 반도체층 상에 제공된 제 1 완충층; 상기 제 1 완충층 상에 제공된 광흡수 영역; 상기 광흡수 영역 상에 제공된 제 2 완충층; 상기 제 2 완충층 상에 제공된 n-형 반도체층; 상기 n-형 반도체층 상에 제공된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극 상에 제 2 기판을 포함하며, 상기 광흡수 영역은 실리콘층, 상기 실리콘층 상의 제 1 층, 및 상기 제 1 층 상의 제 2 층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01)
CPC H01L 31/047(2013.01)
출원번호/일자 1020130127993 (2013.10.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0122164 (2014.10.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130036892   |   2013.04.04
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시 북유성대로*
3 이다정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0969687-92
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048803-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 제공된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 제공된 p-형 반도체층;상기 P-형 반도체층 상에 제공된 제 1 완충층;상기 제 1 완충층 상에 제공된 광흡수 영역;상기 광흡수 영역 상에 제공된 제 2 완충층;상기 제 2 완충층 상에 제공된 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층 상에 제공된 제 2 전극;및상기 제 2 전극 상에 제 2 기판을 포함하며,상기 광흡수 영역은 실리콘층, 상기 실리콘층 상의 제 1 층, 및 상기 제 1 층 상의 상기 제 1 층과 에너지 밴드갭이 다른 제 2 층을 포함하는 박막 태양전지
2 2
제 1항에 있어서,상기 제 1 층은 제 1 실리콘 게르마늄층이고 상기 제 2 층은 실리콘층인 박막 태양전지
3 3
제 2항에 있어서,상기 제 1 층 및 상기 제 2 층 사이에 상기 제 1 실리콘 게르마늄층과 밴드갭이 다른 제 2 실리콘 게르마늄층을 더 포함하는 박막 태양전지
4 4
제 2항에 있어서,상기 제 2 층 상에 상기 제 1 실리콘 게르마늄층과 밴드갭이 다른 제 2 실리콘 게르마늄층을 더 포함하는 박막 태양전지
5 5
제 1항에 있어서,상기 제 1 층은 제 1 실리콘 게르마늄층이고 상기 제 2 층은 상기 제 1 실리콘 게르마늄층과 밴드갭이 다른 제 2 실리콘 게르마늄층이며,상기 제 2 층 상에 상기 제 1 및 제 2 실리콘 게르마늄층과 밴드갭이 다른 제 3 실리콘 게르마늄층을 더 포함하는 박막 태양전지
6 6
제 1항에 있어서,상기 제 1 완충층 및 상기 제 2 완충층 각각은 밴드갭이 서로 다른 복수의 실리콘층들을 포함하는 박막 태양전지
7 7
제 6항에 있어서,상기 제 1 완충층 내의 상기 복수의 실리콘층들의 밴드갭은 상기 p-형 반도체층 방향으로 증가하는 박막 태양전지
8 8
제 1항에 있어서,상기 p-형 반도체층의 두께는 2nm 내지 15nm인 박막 태양전지
9 9
제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 제공된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 제공된 p-형 반도체층;상기 P-형 반도체층 상에 제공된 제 1 완충층;상기 제 1 완충층 상에 제공된 광흡수 영역;상기 광흡수 영역 상에 제공된 제 2 완충층;상기 제 2 완충층 상에 제공된 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층 상에 제공된 제 2 전극; 및상기 제 2 전극 상에 제 2 기판을 포함하며,상기 제 1 완충층 및 상기 제 2 완충층 각각은 밴드갭이 서로 다른 복수의 실리콘층들을 포함하는 박막 태양전지
10 10
제 9항에 있어서,상기 제 1 완충층 내 상기 복수의 실리콘층들의 밴드갭은 상기 p-형 반도체층 방향으로 증가하는 박막 태양전지
11 11
제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 제공된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 제공된 p-형 반도체층;상기 P-형 반도체층 상에 제공된 제 1 완충층;상기 제 1 완충층 상에 제공된 광흡수 영역;상기 광흡수 영역 상에 제공된 제 2 완충층;상기 제 2 완충층 상에 제공된 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층 상에 제공된 제 2 전극; 및상기 제 2 전극 상에 제 2 기판을 포함하며,상기 p-형 반도체층은 두께가 2nm 내지 15nm인 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20140299189 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 에너지기술개발사업 선택적 투과막 및 이종접합창을 이용한 투과성 a-SiGe 투명 태양전지 개발