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나노와이어와 그래핀 혼성 구조체의 제조방법 및 이를 적용한 투명전극

  • 기술번호 : KST2015092179
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어와 그래핀 혼성 구조체의 제조방법 및 이를 적용한 투명전극에 관한 것으로, 전기방사(electro-spinning)법을 사용하여 나노와이어가 길이 방향으로 정렬된 라인 패턴을 만든 후 추가로 그래핀 시트가 분산된 용액에 담그는 디핑(dipping) 방법을 사용함으로써 나노와이어 표면에 그래핀 시트가 달라붙어 있는 혼성 구조체를 제조하여 이를 투명전극에 적용하는 것이다. 이에 따라 라인 패턴 내부에 존재하는 나노와이어 사이의 거리를 좁혀서 교차결합(crosslink)된 부분을 증가시켜 나노와이어 금속선의 전도 특성을 개선시켰으며, 또한 제작된 라인 내부에는 비교적 균일한 밀도를 가지고 나노와이어가 존재하는 관계로 이러한 라인 패턴을 기판 전체에 제작함으로써, 넓은 면적에 걸쳐 균일한 나노와이어 분포를 가지도록 할 수 있고, 나노와이어 라인패턴을 그래핀 시트(sheet)가 고르게 분산되어 있는 분산 용액에 담그는 디핑(dipping) 공정을 채택하여, 나노 와이어 표면을 그래핀 시트로 덮어 열-처리 과정에서 나노 와이어가 공기와 접촉하여 산화되는 것을 방지할 수 있다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140005154 (2014.01.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0085557 (2015.07.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤두협 대한민국 대전 유성구
2 최춘기 대한민국 대전 유성구
3 김진수 대한민국 경기 남양주시
4 유영준 대한민국 대전 유성구
5 최진식 대한민국 대전 서구
6 최홍규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0042376-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1107298-98
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번호 청구항
1 1
나노와이어 물질과 고분자 물질의 혼합 용액을 제조하는 단계;접지된 기판에 상기 혼합 용액을 전기방사 방식으로 분사하여 나노와이어 라인패턴을 형성하는 단계;상기 나노와이어 라인 패턴이 형성된 상기 기판을 그래핀 시트 분산 용액에 디핑하는 단계; 및상기 나노와이어 라인패턴 간의 경계면을 제거하도록 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 나노와이어와 그래핀 혼성(hybrid) 구조체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 나노와이어 물질은 금속 계열의 Ag, Cu, Au, Pt, Mo, W, Ni, Cr 중 어느 하나인나노와이어와 그래핀 혼성 구조체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리우레탄(PU), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리비닐 피놀리딘(PVP), 폴리스티렌(PS), 및 폴리아크릴 나이트릴(PAN)로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는나노와이어와 그래핀 혼성 구조체의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 나노와이어 라인 패턴의 선폭은 10 내지 90 ㎛ 인 나노와이어와 그래핀 혼성 구조체의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 혼합 용액을 제조하는 단계는,나노와이어를 용제 내에 0
6 6
제1항에 있어서,나노와이어 라인패턴을 형성하는 단계는,시린지 내에 상기 혼합 용액을 주입하는 단계;노즐과 플레이트 간의 거리를 3 내지 5 mm로 조절하는 단계;노즐과 플레이트 사이에 1 내지 1
7 7
제1항에 있어서,상기 열처리를 실시하는 단계는 70 내지 90℃의 온도에서 5 내지 20분간 열처리를 실시하는 나노와이어와 그래핀 혼성 구조체의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 나노와이어와 그래핀 혼성 구조체는 메쉬 형태를 갖는 나노와이어와 그래핀 혼성 구조체의 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 따른 방법으로 제조된 나노와이어와 그래핀 혼성 구조체를 적용한 투명 전극
지정국 정보가 없습니다
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1 US20150200031 US 미국 FAMILY

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1 US2015200031 US 미국 DOCDBFAMILY
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