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박막 트랜지스터;상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되는 자발광 화소층;상기 자발광 화소층 상에 배치되는 제2 전극;상기 제2 전극 상에 배치되며, 보조 배선들이 매립된 기판; 및상기 기판 상에 배치되는 반사형 화소층을 포함하되,상기 반사형 화소층은 화소 패턴들을 포함하고,상기 화소 패턴들 사이에 홈부들이 제공되고,상기 보조 배선들은 상기 홈부들과 각각 수직적으로 중첩되는 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethyleneterephtalate), PET), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylene naphthalate), PEN)을 포함하는 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 80% 이상의 투과도를 갖는 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 자발광 화소층과 접하는 기판의 면의 평탄도는 5nm이하이고, 고저간(peak-to-valley)이 20nm 이하인 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 보조 배선들은 Al, Ag, Cr, Cu, AgNW, 탄소 섬유 또는 그래핀(Graphene) 복합체를 포함하는 표시 장치
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삭제
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제1항에 있어서,상기 보조 배선들은 10ohm/sq 이하의 면저항을 갖는 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 보조 배선들의 높이는 0
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지지 기판 상에 보조 배선들을 형성하는 단계;상기 보조 배선들 사이를 매립하는 제1 기판을 형성하는 단계;상기 제1 기판 상에 반사형 화소를 형성하는 단계;상기 반사형 화소를 매립하는 제2 기판을 형성하는 단계;상기 지지 기판을 제거하여 상기 보조 배선들의 일 측을 노출시키는 단계;상기 보조 배선들의 일 측이 노출된 제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;박막 트랜지스터, 제2 전극 및 자발광 화소층을 순차적으로 적층하는 단계; 및상기 자발광 화소층 상에 상기 제1 전극을 배치하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 지지 기판 상에 보조 배선들은 열 증착, 스퍼터링(sputtering) 또는 프린팅(printing) 공정을 통해 형성되는 표시 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 보조 배선들 사이를 매립하는 상기 제1 기판을 형성하는 단계는:상기 보조 배선들이 형성된 지지 기판 상에 경화성 고분자를 코팅하는 단계; 및상기 경화성 고분자를 경화시켜 제1 기판을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 반사형 화소를 매립하는 상기 제2 기판을 형성하는 단계는:상기 반사형 화소가 형성된 제1 기판 상에 경화성 고분자를 코팅하는 단계; 및상기 경화성 고분자를 경화시켜 제2 기판을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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