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대향하는 아노드 전극과 캐소드 전극;상기 아노드 전극 상에 제공된 카운터층;상기 캐소드 전극 상에 제공되고, 상기 카운터층을 바라보는 전계방출 에미터; 및상기 캐소드 전극과 상기 전계방출 에미터 사이에 제공된 제1 광전물질층을 포함하고,상기 전계방출 에미터는 냉전자를 방출하는 탄소나노튜브 그리고 광전자를 방출하는 광전물질을 포함하는 전계방출소자
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제1항에 있어서,상기 제1 광전물질층은 상기 아노드 전극을 바라보는 상기 캐소드 전극의 표면 전체 혹은 일부를 덮는 전계방출소자
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제2항에 있어서,상기 광전물질과 상기 제1 광전물질층 중 적어도 어느 하나는:포타슘옥사이드(potassium oxide), 세슘옥사이드(Cesium oxide), 갈륨포스파이드(gallium phosphide), 갈륨나이트라이드(gallium nitride), 알루미늄(aluminum), 인듐아세나이드(indium arsenide), 게르마늄(germanium), 실리콘(Si), 갈륨아세나이드(gallium arsenide), 세슘텔루라이드(cesium telluride), 세슘아이오다이드(cesium iodide), 세슘-칼륨-텔륨(Cs-K-Te), 칼륨-텔륨(K-Te), 은-산소-세슘(Ag-O-Cs), 인듐-갈륨-비소(In-Ga-As), 혹은 이들의 조합을:포함하는 전계방출소자
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제1항에 있어서,상기 카운터층은 형광층 혹은 금속타겟을 포함하는 전계방출소자
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제1항에 있어서,상기 캐소드 전극과 상기 아노드 전극 사이에 제공된 게이트 전극을;더 포함하는 전계방출소자
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제5항에 있어서,상기 아노드 전극을 바라보는 상기 게이트 전극의 표면 상에 제공된 제2 광전물질층을;더 포함하는 전계방출소자
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제6항에 있어서,상기 캐소드 전극과 상기 전계방출 에미터 사이에 제공된 제1 광전물질층을 더 포함하고,상기 제2 광전물질층은 상기 제1 광전물질층과 동일한 물질을 포함하는 전계방출소자
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제6항에 있어서,상기 제2 광전물질층은 상기 아노드 전극을 바라보는 상기 게이트 전극의 표면 전체 혹은 일부를 덮는 전계방출소자
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제5항에 있어서,상기 전계방출 에미터는 상기 캐소드 전극 상에 분산된 복수개의 국부 전계방출 에미터들을 포함하는 전계방출소자
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제9항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 복수개의 국부 전계방출 에미터들과 정렬된 복수개의 홀들을 포함하는 전계방출소자
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제1항에 있어서,상기 전계방출 에미터는 나노와이어를 더 포함하고,상기 나노와이어는 금(Au), 은(Ag), 갈륨아세나이드(gallium arsenide), 혹은 이들의 조합을 포함하는 전계방출소자
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카운터층이 제공된 아노드 전극;상기 아노드 전극과 이격되며, 상기 카운터층과 대면하는 전계방출 에미터가 제공된 캐소드 전극; 및상기 캐소드 전극과 상기 전계방출 에미터 사이에 제공된 제1 광전물질층을 포함하고,상기 전계방출 에미터는:광전물질과 금속입자가 용융되어 경화된 전계방출 페이스트; 및상기 전계방출 페이스트에 제공되고 상기 전계방출 페이스트로부터 상기 아노드 전극을 향해 돌출된 탄소나노튜브를 포함하고,상기 탄소나노튜브로부터는 전계효과에 따른 냉전자방출이 발생되고,상기 광전물질로부터는 입사광에 따른 광전자방출이 발생되는 전계방출소자
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제12항에 있어서,상기 전계방출 에미터는 상기 전계방출 페이스트에 제공되고 그리고 상기 전계방출 페이스트로부터 돌출된 나노와이어를;더 포함하는 전계방출소자
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제12항에 있어서,상기 캐소드 전극과 상기 아노드 전극 사이에 제공되고, 그리고 상기 캐소드 전극과 상기 아노드 전극과 이격된 게이트 전극을 더 포함하고,상기 게이트 전극은 상기 전계방출 에미터로부터 발생되는 상기 냉전자방출과 상기 광전자방출이 통과하는 게이트 홀을 포함하는 전계방출소자
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제14항에 있어서,상기 아노드 전극을 바라보는 상기 게이트 전극의 표면 전체 혹은 일부를 덮는 제2 광전물질층을 더 포함하고,상기 제2 광전물질층은 상기 제1 광전물질층과 동일한 물질을 포함하는 전계방출소자
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캐소드 전극 상에 탄소나노튜브, 광전물질, 금속입자, 유기바인더 및 용매가 혼합된 탄소나노튜브 페이스트를 형성하고;상기 탄소나노튜브 페이스트를 건조시켜 상기 용매를 제거하고;상기 탄소나노튜브 페이스트를 소성하여 상기 유기바인더를 제거하고 그리고 상기 광전물질과 상기 금속입자를 용융시키고;상기 광전물질과 상기 금속입자가 용융되어 형성된 전계방출 에미터를 표면 활성화처리하는 것;상기 캐소드 전극 상에, 상기 캐소드 전극과 이격되는 게이트 전극을 형성하고; 그리고상기 게이트 전극 상에 상기 캐소드 전극과 대향하는 방향을 바라보는 제2 광전물질층을 형성하는 것을 포함하고,상기 광전물질은 상기 전계방출 에미터에 입사되는 광의 진동수보다 낮은 임계진동수를 가지는 물질을 포함하는 전계방출소자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 광전물질은:포타슘옥사이드(potassium oxide), 세슘옥사이드(Cesium oxide), 갈륨포스파이드(gallium phosphide), 갈륨나이트라이드(gallium nitride), 알루미늄(aluminum), 인듐아세나이드(indium arsenide), 게르마늄(germanium), 실리콘(Si), 갈륨아세나이드(gallium arsenide), 세슘텔루라이드(cesium telluride), 세슘아이오다이드(cesium iodide), 세슘-칼륨-텔륨(Cs-K-Te), 칼륨-텔륨(K-Te), 은-산소-세슘(Ag-O-Cs), 인듐-갈륨-비소(In-Ga-As), 혹은 이들의 조합을:포함하는 전계방출소자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 캐소드 전극과 대향하는 아노드 전극을 제공하고; 그리고상기 아노드 전극 상에 상기 전계방출 에미터를 바라보는 카운터층을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 카운터층은 형광층 혹은 금속타겟을 포함하는 전계방출소자의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트를 형성하기 이전에,상기 캐소드 전극 상에 제1 광전물질층을 형성하는 것을;더 포함하는 전계방출소자의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 캐소드 전극과 상기 아노드 전극 사이에 형성되고, 상기 캐소드 전극 및 상기 아노드 전극과 이격되고; 그리고상기 제2 광전물질층은 상기 게이트 전극 상에 상기 카운터층을 바라보는 전계방출소자의 제조방법
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