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수직형 UV-LED 제조방법

  • 기술번호 : KST2015092228
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직형 UV-LED 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 기판상에 순차적으로 적층된 버퍼층, n-컨택층 및 p-컨택층을 포함하는 UV-LED 에피구조를 형성하고, 기판으로부터 n-컨택층까지 연장한 비아홀을 형성하고, 비아홀 측벽에 제공되고 상기 n-컨택층에 노출되는 절연스페이스를 형성하고, 그리고 비아홀과 n-형 컨택층과 연결하는 금속전극을 형성하는 공정을 수행하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 33/24 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/64 (2010.01.01)
CPC H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01)
출원번호/일자 1020140000572 (2014.01.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2115755-0000 (2020.05.21)
공개번호/일자 10-2015-0081024 (2015.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20200527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성범 대한민국 대전광역시 유성구
2 김성복 대한민국 대전 유성구
3 김동철 대한민국 대전 유성구
4 남은수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0005175-18
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048858-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1011879-31
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0007662-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0007660-81
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0023672-57
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0871337-72
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0098324-80
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0098325-25
12 등록결정서
Decision to grant
2020.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0335314-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 순차적으로 적층된 버퍼층, n-컨택층 및 p-컨택층을 포함하는 에피(epi)구조를 형성하는 것;레이저를 이용하여 상기 기판의 하부면에 상기 버퍼층을 노출시키지 않는 오목부들을 형성하는 것, 상기 오목부들은 제1 폭 및 제2 폭을 가지고, 상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 작고;상기 제1 폭을 가지는 오목부들을 건식 식각 공정을 이용하여 복수개의 비아홀들을 형성하는 것,상기 비아홀들은 상기 기판으로부터 상기 n-컨택층까지 연장되고;상기 비아홀들 각각의 측벽에 제공되고, 상기 n-컨택층을 노출시키는 절연 스페이서를 형성하는 것; 상기 각각의 비아홀 내에 상기 n-컨택층과 접촉하고, 상기 각각의 비아홀들의 일부를 채우는 n-형 전극을 형성하는 것, 상기 n-형 전극은 상기 절연 스페이서의 일부를 노출시키고; 상기 기판의 하부면에 반사층을 형성하는 것, 상기 반사층은 상기 n-형 전극 및 상기 절연 스페이서를 덮고; 상기 기판의 하부면, 오목부 및 비아홀들 상에 금속층을 형성하는 것,상기 금속층은 상기 반사층을 사이에 두고 상기 n-형 전극과 이격하되, 상기 반사층과 접촉하고;p-형 전극들을 p-컨택층 상에 형성하는 것을 포함하되, 상기 p-형 전극들은 상기 비아홀과 수직으로 중첩하되,상기 오목부들과는 수직으로 중첩하지 않는 수직형 자외선 발광 다이오드(UV-LED) 제조방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 알루미늄 나이트라이드 또는 알루미늄-갈륨-나이트라이드(AlxGa1-xN(0≤x003c#1))를 포함하는 수직형 자외선 발광 다이오드(UV-LED) 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1 항에 있어서,상기 비아홀들 및 상기 오목부들은 10um 내지 50um의 일정 간격으로 배치되는 수직형 UV-LED 제조방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 비아홀들을 형성하는 것은 유도 결합 플라즈마(ICP) 식각 공정을 포함하는 수직형 자외선 발광 다이오드(UV-LED) 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1 항에 있어서,상기 레이저는 532nm 파장을 가지는 수직형 자외선 발광 다이오드(UV-LED) 제조방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 p-형 전극들을 형성하는 것은: 상기 n-형 전극을 형성한 후에,상기 p-컨택층 상에 p-형 전극층을 형성하는 것; 및상기 p-형 전극층을 패터닝하는 것을 포함하는 수직형 자외선 발광 다이오드 (UV-LED) 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 부품소재 국제공동기술개발사업 의료 및 정밀 가공기기용 자외선(Deep UV) 반도체 레이저 개발