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제1 기판 상에 차례로 적층된 제1 전극, 유기발광층, 및 제2 전극을 형성하는 것;제2 기판 상에 캐핑층을 형성하는 것;상기 캐핑층의 상면과 상기 제2 전극의 상면이 서로 마주하도록 상기 제1 기판 상에 상기 제2 기판을 배치하는 것; 및상기 캐핑층을 상기 제2 기판으로부터 분리시키고 상기 제2 전극 상으로 전이시키는 것을 포함하되,상기 캐핑층은 서로 다른 굴절률을 갖는 유전체 박막들이 적층되어 형성된 유전체 미러를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 캐핑층을 형성하는 것은 상기 유기발광층을 형성하기 위한 증착 공정보다 상대적으로 높은 온도에서 증착 공정을 수행하는 것을 포함하는 유기발광소자의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 제1 기판은 투명 기판이고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 투명 전극들인 유기발광소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 캐핑층은 고굴절률 물질을 포함하는 제1 박막 및 저굴절률 물질을 포함하는 제2 박막을 포함하되,상기 고굴절률 물질은 ZnSe, WO3, Tio2, ZnO
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청구항 1에 있어서,상기 캐핑층을 형성하기 전에, 상기 제2 기판 상에 코팅층을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 캐핑층의 표면 에너지와 상기 코팅층의 표면 에너지의 차이는, 상기 캐핑층의 상기 표면 에너지와 상기 제2 전극의 표면 에너지의 차이보다 큰 유기발광소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 캐핑층을 상기 제2 기판으로부터 분리시키고 상기 제2 전극 상으로 전이시키는 것은:상기 제2 전극에 상기 캐핑층을 부착하는 것; 및상기 캐핑층으로부터 상기 코팅층 및 상기 제2 기판을 제거하는 것을 포함하는 유기발광소자의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 캐핑층으로부터 상기 코팅층 및 상기 제2 기판을 제거하는 것은,상기 캐핑층으로부터 상기 코팅층을 물리적으로 탈착시키는 것을 포함하는 유기발광소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 캐핑층으로부터 상기 코팅층 및 상기 제2 기판을 제거하는 것은, 불활성 분위기 또는 고진공 상태에서 수행되는 유기발광소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제2 전극 상으로 전이된 상기 캐핑층에 의해, 상기 제2 전극은 상기 유기발광층으로부터 방사되는 제1 파장의 빛을 반사하고, 외부로부터 입사되는 제2 파장의 빛을 투과시키되, 상기 제1 파장의 빛과 상기 제2 파장의 빛은 서로 다른 파장을 갖는 유기발광소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제2 전극의 일면은 상기 유기발광층에 접하고,상기 제2 전극 상으로 전이된 상기 캐핑층은, 상기 제2 전극의 상기 일면에 대향하는 상기 제2 전극의 타면에 접하는 유기발광소자의 제조방법
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