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제 1 및 제 2 마이크로스트립 라인으로 에칭되어, 큐브 내에 제공되는 기판;제 3 마이크로스트립 라인으로 에칭되어, 상기 기판에 수직 방향으로 정방형의 형태로 배치되는 제 1 내지 제 4 급전부; 그리고상기 제 1 내지 제 4 급전부에 수직 방향으로 정방형의 형태로 배치되는 제 1 내지 제 4 방사 패치를 포함하되,상기 제 1 내지 제 4 급전부 각각은 상기 제 1 내지 제 4 방사 패치 중 인접한 한 쌍의 방사 패치 상에 배치되는 이중 편파 다이폴 안테나
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 마이크로스트립 라인은 제 1 급전으로부터 제 1 급전 포인트, 및 상기 제 1 급전 포인트와 대향하는 상기 제 3 급전 포인트 사이에 에칭되고, 그리고상기 제 2 마이크로스트립 라인은 제 2 급전으로부터 제 2 급전 포인트, 및 상기 제 2 급전 포인트와 대향하는 상기 제 4 급전 포인트 사이에 에칭되는 이중 편파 다이폴 안테나
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 급전부에 에칭된 제 3 마이크로스트립 라인들은 각각 상기 제 1 내지 제 4 급전 포인트들로 연결되는 이중 편파 다이폴 안테나
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 급전부 각각은 상기 제 1 마이크로스트립 라인 또는 상기 제 2 마이크로스트립 라인이 통과하도록 구성된 개구부를 갖는 오픈 루프 형태이고, 상기 개구부는 상기 기판을 향하는 이중 편파 다이폴 안테나
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제 4 항에 있어서,상기 제 3 마이크로스트립 라인들은 개구부가 상기 기판을 향하는 오픈 루프 형태이고, 상기 제 3 마이크로스트립 라인들은 상기 제 3 마이크로스트립 라인들이 상기 제 1 내지 제 4 급전 포인트들과 접하는 부분의 맞은편의 끝단이 상기 기판에 접하지 않도록 에칭되는 이중 편파 다이폴 안테나
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6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 급전부터 상기 제 1 급전 포인트까지의 거리, 상기 제 1 급전부터 상기 제 3 급전 포인트까지의 거리, 상기 제 2 급전부터 상기 제 2 급전 포인트까지의 거리, 그리고 상기 제 2 급전부터 상기 제 4 급전 포인트까지의 거리는 동일한 이중 편파 다이폴 안테나
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7
제 6 항에 있어서,상기 제 3 마이크로스트립 라인들의 길이에 따라 정합도가 결정되는 이중 편파 다이폴 안테나
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8
제 6 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 급전부 각각의 양 측면에 상기 기판과 수직 방향으로 제공되는 복수의 금속 단락판들을 더 포함하는 이중 편파 다이폴 안테나
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9
제 8 항에 있어서,상기 복수의 금속 단락판들 각각은 상기 기판에 형성되는 비어홀들을 통하여 상기 기판과 상기 큐브 사이에 배치되는 접지면으로 연결되는 이중 편파 다이폴 안테나
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10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 급전 및 제 2 급전은 상기 기판에 형성되는 비어홀들을 통하여 SMA 커넥터들로 연결되는 이중 편파 다이폴 안테나
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11 |
11
제 6 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 급전부와 상기 제 1 내지 제 4 방사 패치는 소정의 간격만큼 이격되어 배치되는 이중 편파 다이폴 안테나
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12 |
12
제 6 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 방사 패치는 사각형 또는 원형인 이중 편파 다이폴 안테나
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13
제 6 항에 있어서,상기 큐브는 알루미늄, 구리, 또는 그와 유사한 것과 같은 금속체인 이중 편파 다이폴 안테나
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14 |
14
제 6 항에 있어서,상기 큐브는 폴리카보네이트, 아세탈, 테프론, 실리콘, 또는 그와 유사한 것과 같은 비금속체인 이중 편파 다이폴 안테나
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15
제 14 항에 있어서,상기 기판과 접하는 상기 큐브의 일 면은 한 변의 길이가 동작 주파수의 1/2배 이하의 정사각형인 이중 편파 다이폴 안테나
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