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기판;탄소 재료로 형성되어, 상기 기판의 일면에 위치하는 광 스위치; 및상기 기판 및 광 스위치를 감싸도록 코팅된 코팅층을 포함하는 광 디바이스
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제1항에 있어서,상기 광 스위치는,상기 기판의 일면 중 일부 영역에 위치하는, 광 디바이스
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제1항에 있어서,상기 광 스위치는,각 파장 영역에서 포화 흡수 특성을 가지는 물질로 구성되는, 광 디바이스
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제1항에 있어서,상기 코팅층은,무반사를 나타내는 유전체 코팅에 따라 형성되는, 광 디바이스
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제1항에 있어서,상기 코팅층은,부분 반사를 나타내는 유전체 코팅에 따라 형성되고,상기 유전체 코팅은 미리 설정된 반사율에 따라 상기 광 스위치를 포화시키는 에너지를 조절하는, 광 디바이스
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제1항에 있어서,상기 코팅층과 기판 사이에 위치하는 거울을 더 포함하는 광 디바이스
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기판;탄소 재료 및 복합 재료를 혼합하여 형성되고, 상기 기판의 일면에 위치하는 광 스위치; 및상기 기판 및 광 스위치를 감싸도록 코팅된 코팅층을 포함하는 광 디바이스
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제7항에 있어서,상기 광 스위치는,각 파장 영역에서 포화 흡수 특성을 가지는 물질로 구성되는, 광 디바이스
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제7항에 있어서,상기 광 스위치는,상기 광 디바이스의 공정온도보다 높은 유리전이온도를 가지는 복합 재료와 탄소 재료를 혼합함으로써 형성되는, 광 디바이스
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제7항에 있어서,상기 광 스위치는,상기 광 디바이스의 파장 대역에서 미리 설정된 투과도보다 높은 투과도를 가지는 복합 재료와 탄소 재료를 혼합함으로써 형성되는, 광 디바이스
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제7항에 있어서,상기 코팅층은,미리 설정된 온도보다 낮은 온도에서 처리되는 유전체 코팅에 따라 형성되는 광 디바이스
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제7항에 있어서,상기 코팅층과 기판 사이에 위치하는 거울을 더 포함하는 광 디바이스
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