| 1 |
1
하부 및 상부 캐리어 운반층들 사이에 개재된 광전 변환층;상기 상부 캐리어 운반층 상에 배치된 투명 전도성 박막; 및상기 투명 전도성 박막 상에 다중 반사막층을 포함하되,상기 다중 반사막층은 실리콘 나노 결정들을 포함한 실리콘 질화물로 형성되, 이들 각각의 층은 다른 굴절율 및 다른 나노결정크기를 갖는 광 검출기 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 광전 변환층은 실리콘 나노 결정을 포함하는 실리콘 탄화물(SiC) 박막인 광 검출기 소자
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 실리콘 나노 결정은 화학기상증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 실리콘 탄화막 내에 형성되는 것인 광 검출기 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 하부 캐리어 운반층은 제1 도전형으로 도핑된 반도체 물질을 포함하고, 상기 상부 캐리어 운반층은 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 반도체 물질을 포함하는 것인 광 검출기 소자
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 상부 및 하부 캐리어 운반층은 실리콘 탄화막 또는 실리콘 탄소 질화막(SiCN)을 포함하는 것인 광 검출기 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 투명 전도성 박막은 ITO(Indium tin oxide) 전극 또는 SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO 등의 물질을 포함하는 전도성 전극인 광 검출기 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 다중 반사막층은 실리콘 나노 결정들을 포함한 실리콘 질화물을 이용하여 화학기상증착법을 통해 형성되는 것인 광 검출기 소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 다중 반사막층은 투명 전도성 박막으로부터 최하층(n1), 중간층(n2) 및 최상층(n3)을 포함하고, 이들의 굴절율값이 n1 003e# n2 003e# n3인 광 검출기 소자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 다중 반사막은 투명 전도성 박막으로부터 최상층 반사막 내에 형성된 실리콘 나노 결정의 크기가 제일 작고, 최하층 반사막 내에 형성된 실리콘 나노 결정의 크기가 제일 크며, 중간층 반사막층 내에 형성된 실리콘 나노 결정의 크기는 이 들 두 크기의 중간값을 갖는 것인 광 검출기 소자
|
| 10 |
10
하부 캐리어 운반층 상부에 광전 변환층을 형성하는 단계;상기 광전 변환층 상부에 상부 캐리어 운반층을 형성하는 단계;상기 캐리어 운반층 상부에 투명 전도성 박막을 형성하는 단계; 및 상기 투명 전도성 박막 상부에 다중 반사막층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 다중 반사막층은 실리콘 나노 결정을 포함한 실리콘 질화막으로 형성되고, 이들 각각의 층은 다른 굴절율 및 나노결정크기를 갖도록 형성되는 것인 광 검출기 소자의 제조방법
|
