1 |
1
기판의 표면을 표면처리하여 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴이 형성된 기판 상에 이차원 물질 조각을 용해시킨 액체 용액을 분사하여 이차원 물질을 전사하는 단계;상기 기판 상에 배치된 상기 이차원 물질 양쪽에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 위에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 이차원 물질을 이용한 접합 전자 소자의 제조방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 기판으로는 실리콘, 산화물 실리콘 및 플라스틱 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 이차원 물질을 이용한 접합 전자 소자의 제조방법
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 이차원 물질로는 MoS2, WS2, MoSe2 및 WSe2로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 상기 이차원 물질이 용해되는 액체로는 에탄올과 물을 혼합한 용액이 선택되는 이차원 물질을 이용한 접합 전자 소자의 제조방법
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 기판의 표면처리는 원자힘현미경(atomic force microscope, AFM)을 이용한 기계적 리소그래피를 이용해서 시편 위에 원하는 패턴을 나노크기로 패터닝(Patterning)하는 것인 이차원 물질을 이용한 접합 전자 소자의 제조방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 기판의 표면처리는 상기 기판상에 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA)를 형성하고, 전자빔리소그래피(e-beam lithography)를 이용하여 상기 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA)를 패터닝하고, 이어서 개구된 부분에 자기조립분자(SAM)을 형성하고, 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 제거하는 것인 이차원 물질을 이용한 접합 전자 소자의 제조방법
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 금속 전극 또는 그래핀이 사용되는 것인 이차원 물질을 이용한 접합 전자 소자의 제조방법
|
7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 유전체층은 HfO2, AlO3 및 SiO2 로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 물질로 형성되는 것인 이차원 물질을 이용한 접합 전자 소자의 제조방법
|