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기판 상에 1차 절연막을 형성하는 단계;상기 1차 절연막 위에 포토레지스트를 도포 및 식각하여 게이트 풋 패턴을 형성하는 단계;상기 게이트 풋 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 전극의 풋을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 풋이 형성된 기판 상에 2차 절연막을 형성하는 단계;상기 2차 절연막 위에 다층의 포토레지스트를 도포 및 식각하여 게이트 줄기 및 헤드 패턴을 형성하는 단계; 및상기 게이트 줄기 및 헤드 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 기판으로는 SiC 기판상에 전이층과 AlGaN/GaN 에피층이 형성되어 있는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 1차 절연막 및 2차 절연막으로는 실리콘 질화물이 사용되는 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 2차 절연막은 게이트 전극의 풋과 1차 절연막 사이의 노출된 영역을 채울 수 있는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 2차 절연막 위에 다층의 포토레지스트로는 PMMA층/코폴리머층/PMMA층이 순차적으로 형성되는 것인 게이트 전극 형성방법
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제5항에 있어서,상기 다층의 포토레지스트가 식각되어지는 경우, 상층 PMMA층의 오픈 영역의 길이는 코폴리머층(11)의 오픈 영역의 길이보다 짧게 하여 오버행(overhang) 구조를 갖게 하는 것을 특징으로 하는 것인 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극용 금속으로는 Ni 및 Au가 사용되는 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극 풋 패턴 및 게이트 전극 줄기 및 헤드 패턴은 리소그라피 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 보호막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성방법
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제1항 내지 제9항중 어느 하나의 항에 따라 형성된 게이트 전극을 포함하는 반도체 소자
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