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제1반도체층, 제2반도체층 및 제3반도체층을 포함하고, 상기 제1반도체층 및 상기 제3반도체층은 동일한 타입의 반도체층으로 형성되며,상기 제2반도체층은 상기 제1반도체층 및 상기 제3반도체층 사이에 형성되고, 상기 제1반도체층 및 상기 제3반도체층과는 다른 타입(Type)의 반도체층으로 형성되며, 경사 도핑(Graded doping)된 상태로 형성되는 것을 특징으로 하는 정류 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제2반도체층은, 상기 제1반도체층 및 상기 제3반도체층 사이에서 공간적으로 경사 도핑(Graeded)된 상태로 형성되는 것을 특징으로 하는 정류 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1반도체층 및 상기 제3반도체층은 P형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2반도체층은 경사 도핑된 N형 반도체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 정류 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1반도체층 및 상기 제3반도체층은 N형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2반도체층은 경사 도핑된 P형 반도체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 정류 소자
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제 1 항에 있어서,고속의 정류 동작을 기초로, 테라헤르츠 감지기(Detector)로 동작하는 것을 특징으로 하는 정류 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1반도체층, 상기 제2반도체층 또는 상기 제3반도체층은, 이온 주입(Ion implant) 공정 또는 에피텍셜 성장(Epitaxial growth) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 정류 소자
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7
테라헤르츠(THz) 감지 장치에 있어서,서로 동일한 타입(Type)의 반도체로 형성되는 복수의 제1타입 반도체; 및상기 복수의 제1타입 반도체 사이에 형성되고, 상기 복수의 제1타입 반도체와는 다른 타입의 반도체로 형성되며, 경사 도핑(Graded doping)된 상태로 형성되는 제2타입의 반도체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 감지 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 제2타입의 반도체는, 제1타입 반도체에 대한 거리 변화에 따라 경사 도핑된 상태로 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 감지 장치
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정류 소자를 제작하는 방법에 있어서, 동일한 타입의 반도체층들의 파라미터(Parameter) 또는 상기 동일한 타입의 반도체층들과는 다른 타입으로 경사 도핑된 반도체층의 파라미터가 설정되는 단계; 및상기 동일한 타입의 반도체층들 사이에, 상기 경사 도핑된 반도체층이 접합 되는 반도체 구조가 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정류 소자 제작 방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 동일한 타입의 반도체층들의 파라미터(Parameter) 또는 상기 동일한 타입의 반도체층들과는 다른 타입으로 경사 도핑된 반도체층의 파라미터가 설정되는 단계에서,상기 동일한 타입의 반도체층들의 도핑 농도, 상기 경사 도핑된 반도체층의 폭 또는 상기 경사 도핑된 반도체층의 도핑 농도가 설정되는 것을 특징으로 하는 정류 소자 제작 방법
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