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제1 전극들;상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들;상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되고, CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 포함하는 절연층; 및상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극들은 투명전극이고, 제2 전극들은 금속전극인 터치스크린패널
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제1항에 있어서,상기 제1 전극들 및 제2 전극들 모두 투명전극인 터치스크린패널
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제1 전극들, 상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들, 상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 절연층; 및 상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널의 제조방법에 있어서,상기 절연층은 제1 전극이 형성된 터치스크린패널 평면 전체를 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 이용하여 반응성 스퍼터링법으로 형성한 후, 포토공정을 수행한 후, 반응성 이온 식각 또는 레이저를 이용한 건식식각을 통해 절연층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널의 제조방법
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제1 전극들, 상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들, 상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 절연층; 및 상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널의 제조방법에 있어서,제1 전극이 형성된 터치스크린패널 평면위에 포토레지스트로 절연층 패턴 위치를 오픈하고, 상기 절연층을 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 이용하여 반응성 스퍼터링 방법으로 평면 전체에 형성한 후, 리프트오프 방법으로 포토 레지스트를 제거하여 절연층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 반응성 스퍼터링 방법에서 Ar/O2 가스를 이용하는 것인 터치스크린패널의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 반응성 이온 식각으로는 RIE (Reactive Ion Etcher) 또는 ICP(Induction coupled plasma) RIE로 식각되는 것인 터치스크린패널의 제조방법
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