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실리콘 기판 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계;상기 실리콘산화막 상에, 니켈 하층 박막 및 구리 상층 박막을 포함하는 다층 메탈 촉매층을 형성하는 단계; 및 화학기상증착(CVD)으로 상기 다층 메탈 촉매 상에 단일층 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 구리 상층 박막과 상기 니켈 하층 박막의 두께 비는 6:3 내지 10:3인 단일층 그래핀 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 구리 상층 박막과 상기 니켈 하층 박막의 두께 비는 7:3인단일층 그래핀 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 성장 조건은 800 내지 1200℃의 온도 및 H2 + CH4 가스 분위기인단일층 그래핀 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 니켈 하층 박막은 300 nm의 두께를 갖고, 상기 구리 상층 박막은 600 nm 내지 1000 nm의 두께를 갖는단일층 그래핀 성장 방법
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실리콘 기판 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계;상기 실리콘산화막 상에, 니켈 하층 박막을 형성하는 단계;상기 니켈 하층 박막 상에, 채널 영역을 덮고 전극 영역의 상기 니켈 하층 박막을 노출시키는 구리 상층 패턴을 형성하는 단계; 및상기 구리 상층 패턴 상에 채널용 단일층 그래핀을 성장시키고, 상기 구리 상층 패턴에 의해 노출된 상기 니켈 하층 박막 상에 전극용 다층 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 그래핀 성장 방법
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제5항에 있어서,상기 구리 상층 패턴을 형성하는 단계는,섀도우 마스크를 이용하여 상기 구리 상층 패턴을 증착하는그래핀 성장 방법
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제6항에 있어서,상기 구리 상층 박막과 상기 니켈 하층 박막의 두께 비는 6:3 내지 10:3인 그래핀 성장 방법
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제6항에 있어서,상기 니켈 하층 박막은 300 nm의 두께를 갖고, 상기 구리 상층 박막은 600 nm 내지 1000 nm의 두께를 갖는그래핀 성장 방법
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제6항에 있어서,화학기상증착(CVD)으로 상기 단일층 그래핀 및 상기 다층 그래핀을 성장시키는그래핀 성장 방법
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실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 형성된 실리콘 산화막;상기 실리콘 산화막 상에 형성된 니켈 하층 박막;상기 니켈 하층 박막 상에 형성된 구리 상층 패턴; 상기 니켈 하층 박막 상에 성장된 다층 그래핀 전극; 및 상기 구리 상층 패턴 상에 성장된 단일층 그래핀 채널을 포함하는 그래핀 소자
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제10항에 있어서,상기 니켈 하층 박막의 두께는 300 nm이고, 구리 상층 패턴의 두께는 600 nm 내지 1000 nm인 그래핀 소자
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