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비대칭패브릿-페롯시드광논리소자

  • 기술번호 : KST2015092834
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비대칭 패브리-페롯(asymmetry-Fabry Petot)공명 구조를 갖는 SEED(Self Electro-optic Effect Device)에 관한 것으로, 비대칭 패브리-페롯 SEED구조보다 반사율의 변화 △R을 증가시켜 광 시스템에서 사용될 때 높은 ON/OFF강도비에 의한 안정된 신뢰도를 유지하면서 데이타 처리속도인 비트레이트를 증가시킬 수 있는 개량된 비대칭 패브리-페롯 SEED이다.본 발명은 반사율의 변화 △R이 진성영역의 다중 양자 우물의 광 흡수 계수의 비인 α(V)/α(O)와 반비계 관계가 있다는 점에 착안하여 최소한의 광 흡수 계수비를 갖는 다중 양자 우물을 이용한 높은 반사율 ON/OFF강도비를 유지하는 동시에 반사율변화를 증가시킨다.본 발명의 구조는 α(O)값이 큰 양자 우물 구조를 이용하여 비대칭 패브리-페롯 SEED구조를 구성하므로 반도체 다중 양자 우물층의 수를 줄일수 있어 에피텍시(epitaxy)층의 성장이 용이하다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01)
CPC H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01)
출원번호/일자 1019930028264 (1993.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1995-0021812 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영완 대한민국 서울특별시성파구
2 권오균 대한민국 대전직할시대덕구
3 한선규 대한민국 대전직할시서구
4 이종태 대한민국 대전직할시서구
5 이일항 대한민국 대전직할시유성구
6 심숙이 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142122-95
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142123-30
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142124-86
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142125-21
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142126-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067062-43
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067063-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반 절연 GaAs기판(1)과; 상기 기판(1)위에 AlAs로 이루어지는 제1의 λ/4n반사층(2)과 Al0

2 2

제1항에 있어서, 상기 상부거울층은 상기 하부거울층(4)위에 성장된 N+형의 Al0

3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.