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금속 반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)를 이용한 초고주파 광대역 증폭회로에 있어서, 입력단(9)의 임피던스를 공통 게이트 소자에 의해 정합시키기 위한 제 1 의 정합회로(100)와, 공통 소오스 및 공통 게이트에 의한 캐스코우드 궤환증폭 방식으로 입력신호를 증폭하는 제 1 의 증폭회로(200)와, 상기 제 1 정합회로(100)의 출력단과 상기 제 1 증폭회로(200)의 입력단을 정합시키기 위한 제 2 의 정합회로(300)와, 상기 제 1 증폭회로(200)의 출력을 다시 소정의 이득을 증폭하는 제 2 의 증폭회로(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 소비 전력형 광대역 증폭회로
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 증폭회로(200)와 상기 제 2 증폭회로(400) 사이에 상기 두 회로(200, 400)를 정합시키기 위한 제 3 의 정합회로를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 저 소비 전력형 광대역 증폭회로
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 의 정합회로(100)는 상기 입력단(9)에 연결되는 캐패시터(101)와, 상기 캐패시터(101)에 소오스가 직렬로 연결되는 공통 게이트의 MESFET(104)와, 상기 캐패시터(101)과 상기 MESFET(104)의 소오스 사이에 그들과 병렬로 연결되는 저항(102)과, 상기 저항(102)와 접지 사이에 연결되는 인덕터(103) 및, 전원과 상기 MESFET(104)의 드레인 사이에 연결되는 저항(105)을 포함하는 것을 특징으로 하는 저 소비 전력형 광대역 증폭회로
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제 3 항에 있어서, 상기 제 1 의 증폭회로(200)는 공통 소오스의 MESFET(112)와, 이 MESFET(112)의 드레인에 소오스가 캐스코우드 방식으로 연결되는 공통 게이트의 MESFET(115)로 이루어지는 캐스코우드 증폭회로(210)와 ; 상기 MESFET(115)의 게이트에 연결되는 게이트 전원공급회로(220)와 ; 상기 캐스코우드 증폭회로(210)의 출력을 입력단으로 궤환시키는 궤환회로(230)와 ; 상기 캐스코우드 증폭회로(210)내의 상기 MESFET(112)의 동작점이 설정되도록 하는 자기 바이어스회로(240)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저 소비 전력형 광대역 증폭회로
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제 4 항에 있어서, 상기 게이트 전원공급회로(220)는 상기 캐스코우드 증폭회로(210)내 상기 MESFET(115)의 게이트와 상기 접지 사이에 연결되는 캐패시터(116)와, 상기 MESFET(115)의 상기 게이트와 상기 전원 사이에 연결되고 상기 게이트로 제공되는 전압을 분할하기 위한 두개의 저항(117, 118)을 포함하고 ; 상기 궤환회로(230)는 상기 전원과 캐스코우드 증폭회로(210)의 출력단 사이에 연결되는 인덕터(119)와, 상기 증폭회로(210)의 출력단과 입력단 사이에 순차로 연결되는 캐패시터(111) 및 저항(110)을 포함하며 ; 상기 자기 바이어스회로(240)는 상기 캐스코우드 증폭회로(210)내 상기 MESFET(112)의 소오스와 상기 접지 사이에 각각 연결되되 상호간은 병렬로 연결되는 저항(113) 및 캐패시터(114)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 소비 전력형 광대역 증폭회로
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