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3극형 전계방출소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015092849
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야3극형 전계방출소자 제조 방법.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 600℃ 이하의 저온에서 모든 공정을 진행시킬수 있고 실리콘 캐소드 팁의 탑 부위를 뾰족하게 형성하여, 저가격 및 대면적하에서 전계방출 효율을 향상시키고자 함.3. 발명의 해결 방법의 요지등방성 식각 및 비등방성식각을 연속적으로 실시하여 기둥이 있고 잘린 원추 형상의 제1 실리콘 패턴을 형성한 다음, 습식식각에 의해 기둥이 있고 끝이 뾰족한 원추 형상의 제2 실리콘 패턴을 형성함으로써 캐소드 팁을 형성하고, 게이트 형성 시 에치백 공정을 사용한다.4. 발명의 중요한 용도전자원 장치
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1019960052474 (1996.11.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0204025-0000 (1999.03.25)
공개번호/일자 10-1998-0034433 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시 서구
2 이진호 대한민국 대전광역시 유성구
3 강성원 대한민국 대전광역시 유성구
4 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178490-62
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178491-18
3 특허출원서
Patent Application		 1996.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178489-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178492-53
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0033141-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

절연기판 상에 캐소드 전도막과 실리콘막을 차례로 형성하고 상기 실리콘막 상의 소정부위에 마스크 패턴을 형성하는 제1단계;

상기 마스크 패턴을 식각 장벽으로 상기 실리콘막의 일부를 등방성 식각하고, 비등방성 식각하여 기둥이 있고 잘린 원추 형상의 제1 실리콘 패턴(23a)를 형성하는 제2단계;

상기 실리콘 패턴을 부분적으로 습식식각하여 기둥이 있고 끝이 뾰족한 원추 형상의 캐소드 팁용 제2 실리콘 패턴(23b)을 형성하는 제3단계;

전체구조 상부에 게이트절연막과 게이트전도막을 차례로 형성하는 제4단계; 및

상기 제2 실리콘 패턴 상부의 상기 게이트전도막과 상기 게이트절연막을 식각하여 상기 제2 실리콘 패턴을 노출시키는 제5단계를 포함하여 이루어진 3극형 전계방출소자 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제5단계는,

상기 게이트전도막 상에 평탄화막을 형성하고 에치백하여 상기 제2 실리콘 패턴 상부 부위의 게이트전도막을 식각하는 제6단계; 및

상기 제6단계로 인해 노출된 상기 게이트절연막을 상기 제2 실리콘 패턴이 노출되도록 습식식각하는 제7단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 3극형 전계방출소자 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 에치백 시, 상기 게이트전도막, 상기 평탄화막 및 상기 게이트절연막간의 식각율 차이와 식각 시간을 제어하여 상기 게이트 전도막의 형상을 정의하는 것을 특징으로 하는 3극형 전계방출소자 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제3단계의 습식식각은 불산, 초산, 및 질산을 포함하는 혼합용액에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 3극형 전계방출소자 제조 방법

5 5

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 절연기판은 산화막, 질화막, 석영, 및 유리중 어느하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 3극형 전계방출소자 제조 방법

6 6

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 실리콘막은 도핑된 비정질실리콘막 또는 도핑된 다결정실리콘막을 포함하는 것을 특징으로 하는 3극형 전계방출소자 제조 방법

7 7

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 게이트절연막은 화학기상증착에 의한 산화막인 것을 특징으로 하는 3극형 전계방출소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.