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2중다결정실리콘층의층간산화막형성방법

  • 기술번호 : KST2015092889
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고집적 반도체 장치의 제조시에 활용되는 2중 다결정 실리콘층 형성공정에 있어서 층들간의 절연체인 산화막의 전기적 특성을 안정화시키기 위한 층간 산화막 형성방법에 관한 것으로 저압화학 증착법(LPCVD)을 이용하여 층간산화막(8)을 형성함으로써 층간산화막(8)이 일정한 두께를 유지하여 단차의 유무에 상관없이 안정된 축전특성을 갖게 된다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/76801(2013.01) H01L 21/76801(2013.01)
출원번호/일자 1019910022925 (1991.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1993-0014831 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.13)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백문철 대한민국 대전직할시유성구
2 권오준 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125483-38
2 특허출원서
Patent Application		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125480-02
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125481-47
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125482-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0060358-75
6 의견서
Written Opinion		 1994.05.19 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125486-75
7 의견서
Written Opinion		 1994.05.19 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125485-29
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.05.19 수리 (Accepted) 1-1-1991-0125484-84
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1994.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0060359-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1)상에 형성된 필드산화막(2)상에 제1다결정 실리콘층(3)을 증착한 후 건식식각 방법으로 상기 제1다결정 실리콘층(3)의 패턴을 결정하고 층간 산화막(8)을 형성한 후 제2다결정 실리콘층(9)을 증착하여 2중 다결정 실리콘층을 형성하는 방법에 있어서 상기 제1다결정 실리콘층(3)의 패턴을 형성한 후 상기 층간산화막(8)을 저압화학 증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 2중 다결정 실리콘층의 층간 산화막 형성방법

2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.