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제1도전형의 화합물반도체기판; 상기 화합물반도체기판 내의 소정영역에 평면상의 가로측으로 일정간격을 두고 제2도전형의 불순물을 이온주입하여 형성된 도핑 초격자영역; 상기 화합물반도체기판 표면 하부에서 상기 도핑 초격자영역의 평면상의 세로측 양단에 형성된 제1컬렉터영역 및 제1에미터영역; 상기 제1컬렉터영역 및 제1에미터영역의 상기 화합물반도체기판 표면 상에 형성된 각각의 제1컬렉터전극 및 제1에미터전극; 상기 화합물반도체기판 표면 하부에서 상기 도핑 초격자영역의 평면상의 가로측 양단에 일정거리 이격되어 위치한 제2컬렉터영역 및 제2에미터영역; 및 상기 제2컬렉터영역 및 제2에미터영역의 상기 화합물반도체기판 표면 상에 형성된 각각의 제2컬렉터전극 및 제2에미터전극을 구비하여 이루어진 적외선 감지 광검출기
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제1항에 있어서, 상기 화합물반도체기판은 P형 갈륨비소 기판인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기
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제2항에 있어서, 상기 제2도전형의 불순물은 실리콘 이온인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기
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제3항에 있어서, 상기 도핑 초격자영역 형성을 위한 실리콘 이온은 1000Å 내외의 간격을 두고 이온주입되는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기
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화합물 반도체 기판상에 에피택시층을 형성하는 단계; 상기 에피택시층 상부에 초미세 패턴 형성을 위한 식각공정시 식각제에 의해 상기 에피택시층이 손상되는 것을 방지하기 위한 보호층을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 도핑 초격자 영역, 제1 에미터 영역 그리고 제1 및 제2 컬렉터 영역을 정의하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 보호막을 선택식각하는 단계; 상기 보호막 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 에피택시층을 선택식각하는 단계; 상기 에피택시층, 상기 보호막 및 상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 상기 화합물 반도체 기판과 반대 도전형의 불순물을 이온주입하여 도핑 초격자 영역, 제1 에미터 영역 그리고, 제1 및 제2 컬렉터 영역을 정의하는 단계; 상기 에피택시층, 상기 보호막 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 소정의 마스크 패턴을 이용한 이온주입 공정에 의해 제2 에미터 영역을 정의하는 단계; 및 제1 및 제2 에미터 전극과 제1 및 제2 컬렉터 전극을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판은 갈륨비소 기판인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판은 InP 기판인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판은 GaSb 기판인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 에피택시층은 AlGaAs층인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 에피택시층은 InGaAs층, InAlAs층, InAlAsP층 중 어느 한 층인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 에피택시층은 GaAlSb층, InAsSb층 중 어느 한 층인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 보호층은 알루미늄막, 텅스텐막 또는 금 중 어느 한 막인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 보호층은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막 중 어느 한 막인 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 2000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 광검출기 제조방법
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