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능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 알에프 집적회로

  • 기술번호 : KST2015092928
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CDMA 방식 전력증폭기회로에서의 선형성을 높이기 위한 회로에 관한 것으로서, 특히 능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 RF 집적회로에 관한 것이다. 본 발명은, 케스코우드 연결된 2개의 FET(M1, M2)와，각각의 FET에 대하여 직류 게이트 전압 VGG1과 VGG2로 이루어진 케스코우드 증폭기 FET M1의 드레인과 FET M2의 소오스단이 연결된 부분에 게이트가　공유되고, FET M2의 드레인과 드레인이 공유되는 왜곡 발생기로 사용되는 새로운 FET(M3)와, FET M3의 직류 게이트 전압 VGG3와 직류 전류/전압 절연을 위한 캐패시터(C1)로 구성된다. FET M1, M2는 보통의 케스코우드 증폭기에서 신호의 증폭을 위하여 정상 동작점에서 동작하도록 하고 부가된 FET(M3)의 게이트전압(VGG3)을 M1, M2의 동작전압 이하(V3-2 영역)에서 조절하여 추가되는 전력소모가 무시할 수 있는 정도이면서 입력된 신호가 비선형 능동 소자인 FET(M3)를 통과하여 생성된 3차 왜곡 신호를 FET(M2)의 드레인과 공통으로 묶어져서 이 3차 왜곡된 신호가 본래의 통신 신호가 M1, M2의 3차 비선형성에 의하여 생성된 3차 왜곡 신호와 상쇄되어 선형성이 개선된다.
Int. CL H03F 1/32 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1019980052342 (1998.12.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0281647-0000 (2000.11.20)
공개번호/일자 10-2000-0037693 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 등록원부생성(갱신)
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김충환 대한민국 대전광역시 유성구
2 김천수 대한민국 대전광역시 유성구
3 유현규 대한민국 대전광역시 유성구
4 박민 대한민국 대전광역시 유성구
5 김대용 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 엠텍비젼 주식회사 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1998-0403375-12
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1998-0403374-66
3 특허출원서
Patent Application		 1998.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1998-0403373-10
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0248453-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

소신호에서 동작하는 집적회로의 선형성을 개선하기 위한 회로에 있어서,

외부의 개별 직류 전원으로 구동되고, 통신 입력신호를 받아서 궤환된 3차 왜곡신호가 크도록 잡은 정상 동작점에서 케스코우드 증폭하는 신호 증폭수단;

다른 외부 직류 전원으로 구동되고, 상기 신호 증폭수단에서 증폭된 3차 왜곡신호를 상쇄하기 위해 상기 통신 입력신호를 능동소자의 비선형성에 의하여 3차 왜곡신호로 생성하는 왜곡신호 발생수단; 및

상기 왜곡신호 발생수단에 인가되는 외부 구동 전원과의 절연을 위한 절연수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 RF 집적회로

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 신호 증폭수단은,

적어도 2 개 이상의 공통-소오스 FET로 구성된 것을 특징으로 하는 능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 RF 집적회로

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 왜곡신호 발생수단은,

상기 신호 증폭수단의 적어도 한개의 FET의 드레인이 드레인과 공유되고 ,적어도 한개의 FET의 드레인과 다른 하나의 FET의 소오스 사이에 게이트가 공유되는 공통-소오스 FET를 사용하는 것을 특징으로 하는 능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 RF 집적회로

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 절연수단은,

상기 캐패시터를 사용한 것을 특징으로 하는 능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 RF 집적회로

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