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다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015093022
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1.3 ~ 1.6 ㎛ 대역의 장파장을 이용하는 파장 분할 다중화 방식의 다채널 수직공진 표면방출 레이저 어레이 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 활성층 근처에 공진 거리 조절을 위한 다층의 초격자 조절층을 형성하는데, 상기 초격자 조절층은 선택적 식각이 가능한 두개의 물질이 교대로 여러 주기가 형성되어 있고, 어레이별로 상기 주기가 다르게 형성되어 레이저 발진 파장 간격이 조절된다. 이 초격자 조절층은 한 주기 단위로 선택적으로 식각하여 형성하는 것이기 때문에 재현성 있게 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이를 제조할 수 있다.
Int. CL H01S 5/183 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020002534 (2002.01.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0460839-0000 (2004.12.01)
공개번호/일자 10-2003-0062110 (2003.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20041209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병수 대한민국 대전광역시서구
2 김종희 대한민국 전라북도전주시덕진구
3 한원석 대한민국 대전광역시유성구
4 권오균 대한민국 대전광역시유성구
5 주영구 대한민국 대전광역시유성구
6 신재헌 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)엘디스 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0013110-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0058852-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0123715-10
6 의견서
Written Opinion		 2004.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0216064-07
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0216065-42
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0495961-04
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 적층되는 하부 거울;

상기 하부 거울 상에 적층되며 양자우물층으로 형성된 활성층;

상기 활성층 상에 적층되며 전류 제한 및 열 전달을 효율을 높이기 위한 전류제한층;

상기 전류제한층 상에 공진 거리 조절을 위하여 적층되며, 선택적 식각이 가능한 두개의 물질이 최대 n-1개의 주기로 형성되어 있고, 각 소자별로 0 ~ n-1개의 주기로 다르게 형성되어 최대 n개의 서로 다른 레이저 파장이 발진되도록 조절되는 어레이를 위한 초격자 조절층; 및

상기 초격자 조절층 상에 적층된 상부 거울을 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 상부 거울과 하부 거울은 상기 반도체 기판에 격자 정합된 구조로서 굴절률이 다른 반도체층을 교대로 여러 주기 성장하되 한 주기의 두께가 광학길이로 레이저 발진 파장의 반이 되도록 조절한 반도체 DBR(Distributed Bragg Reflector)로 구성되는 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 InP이고, 상기 굴절률이 다른 반도체층은 InAlAs/InAlGaAs, InGaAsP/InP, 원소 구성은 동일하되 각 원소의 몰분율이 다른 InAlGaAs/InAlGaAs 또는 원소 구성은 동일하되 각 원소의 몰분율이 다른InGaAsP/InGaAsP인 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 상기 반도체 기판에 격자 정합된 구조로서 양자우물 및 공간층으로 구성되며 전체 두께가 광학길이로 레이저 발진 파장의 반의 정수배가 되도록 조절된 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 InP이고, 상기 활성층은 InAlAs/InAlGaAs, InGaAsP/InP, 원소 구성은 동일하되 각 원소의 몰분율이 다른 InAlGaAs/InAlGaAs 또는 원소 구성은 동일하되 각 원소의 몰분율이 다른InGaAsP/InGaAsP인 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 전류제한층은 상기 반도체 기판에 격자 정합된 구조로서 열전도도가 큰 물질로 구성된 제 1 열방출층, 습식산화 또는 식각에 의해 전류 유도가 가능한 절연막형성층, 열전도도가 큰 물질로 구성된 제 2 열방출층 및 전극접촉층으로 구성된 것을 특징을 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 초격자 조절층에 포함되는 두 개의 물질은 InAlGaAs와 InP인 것을 특징을 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이

8 8

삭제
9 9

반도체 기판 상에 하부 거울을 형성하는 단계;

상기 하부 거울 상에 양자우물층으로 형성된 활성층을 적층하는 단계;

상기 활성층 상에 전류 제한 및 열 전달을 효율을 높이기 위한 전류제한층을 적층하는 단계;

상기 전류제한층 상에 공진 거리 조절을 위하여 적층되며, 선택적 식각이 가능한 두개의 물질이 최대 n-1개의 주기로 형성되어 있고, 각 소자별로 0 ~ n-1개의 주기로 다르게 형성되어 최대 n개의 서로 다른 레이저 파장이 발진되도록 조절되는 어레이를 위한 초격자 조절층을 형성하는 단계;

상기 초격자 조절층 상에 재성장 또는 증착 방법으로 상부 거울을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이 제조방법

10 10

삭제
11 11

제 9 항에 있어서, 상기 초격자 조절층을 형성하는 단계는 n 채널 어레이의 레이저 발진 파장을 조절하기 위하여,

상기 전류제한층 상에 선택적 식각이 가능한 두개의 물질을 교대로 n-1 주기 적층하는 단계; 및

어레이별로 n-1에서 0의 주기를 갖도록, 상기 교대로 n-1 주기로 적층된 두 물질을 2진 다중 식각(binary-code multiple etching)하는 단계를 포함하고, 여기서 2진 다중 식각은 n = 2m의 관계식으로부터 채널수 n에 따라 결정되는 m에 따라, 상기 두 물질을 차례로 선택하여 식각하는 선택적 식각 단계를 m번 수행하는 방법인 것을 특징을 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이 제조방법

12 12

제 11 항에 있어서, 상기 초격자 조절층에 포함되는 두 개의 물질은 InAlGaAs와 InP이고, 상기 InAlGaAs를 식각하는 단계의 식각액은 H3P04(또는 H2SO4), H2O 및 H2O2의 혼합용액이고, 상기 InP를 식각하는 단계의 식각액은 HCl, H2O 및 H2O2의 혼합용액인 것을 특징을 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이 제조방법

13 13

제 9 항에 있어서, 상부 거울을 적층하는 단계 이후,

상기 상부 거울과 초격자 조절층을 식각하여 레이저 기둥을 형성하는 단계;

상기 레이저 기둥 보다 큰 마스크를 형성한 후 이를 이용하여 상기 전류제한층 및 활성층 일부를 식각하는 단계; 및

전류가 상기 레이저 기둥 영역으로만 흐르도록 상기 전류제한층 내 상기 절연막형성층의 일부를 산화 또는 제거하여 절연막층을 형성하는 단계;

상기 마스크를 제거한 후 노출된 상기 전극접촉층 상부에 p형 전극을 형성하고, 상기 기판의 뒷면을 연마한 다음, n형 전극을 형성하는 단계; 및

상기 p형 전극이 형성된 결과물 전면에 유전체 박막을 증착한 후, 상기 p형 전극 위의 유전체 박막 부분을 제거하고, 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이 제조방법

14 14

제 13 항에 있어서, 상기 절연막층을 형성하는 단계는 상기 마스크를 이용한 습식 산화방법 또는 식각 방법에 의하며, 상기 전극접촉층은 p형 도핑된 반도체인 것을 특징으로 하는 다채널 장파장 수직공진 표면방출 레이저 어레이 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.