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나노 입자의 산화물을 함유하는 콜로이드 용액과 염기성 수용액을 포함하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극용 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 입자의 산화물은 TiO2, ZnO, 및 Nb2O5 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극용 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 염기성 수용액은 암모니아 수용액임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극용 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 콜로이드 용액 및 상기 염기성 수용액은 1: 0
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나노 입자의 산화물과 용매를 수열반응시켜 나노 입자를 함유하는 산화물 콜로이드 용액을 제조하는 단계, 상기 콜로이드 용액의 용매를 알코올로 치환하는 단계, 상기 용매가 알코올로 치환된 콜로이드 용액에 염기성 수용액을 가하여 페이스트 조성물을 제조하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극용 조성물
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제 5 항에 있어서, 상기 용매가 알코올로 치환된 콜로이드 용액에 염기성 수용액을 가하면서 교반하는 단계를 더 포함하는 염료감응 태양전지의 반도체 전극용 조성물의 제조 방법
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전도성 기판에 나노 입자의 산화물을 함유하는 콜로이드 용액과 염기성 용액을 포함하는 페이스트 조성물이 도포 된 반도체 전극, 상대 전극, 및상기 반도체 전극과 상대 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하는 염료감응 태양전지
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제 7 항에 있어서, 상기 전도성 기판은 전도성 플라스틱 기판임을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제1 전도성 기판상에 상기 청구항 제1항의 반도체 전극용 조성물을 도포하는 단계,상기 반도체 전극용 조성물이 도포 된 제1 전도성 기판을 상온 내지 200℃에서 1차 건조하는 단계, 상기 제1 전도성 기판에 염료 분자층을 형성하여 반도체 전극을 완성하는 단계, 제2 전도성 기판에 도전물을 코팅하여 상대전극을 형성하는 단계
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제 8 항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판을 TiCl4 용액에 함침하고 상온 내지 200℃에서 2차 건조하는 단계를 더 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 제1 전도성 기판상에 상기 청구항 제1항의 반도체 전극용 조성물을 닥터 블레이드 방법을 이용하여 도포하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
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